Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
NSVMUN5111DW1T3G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G
;
NSVMUN5111DW1T3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMUN5111DW1T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5111DW1T3G при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5111DW1T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

  • Основные параметры:
    • Тип: 2-полупроводниковый пин-транзистор (2PNP)
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Стандартная оболочка: SC88
    • Применяется для преамплификации
  • Плюсы:
    • Высокая чувствительность
    • Хорошая стабильность
    • Малые размеры
  • Минусы:
    • Требует дополнительной предварительной подстройки
    • Низкая мощность
  • Общее назначение:
    • Используется для преамплификации в различных электронных устройствах
    • Подходит для аудио приборов
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоприборы
    • Системы звукового воспроизведения
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5111DW1T3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5111

Техническая документация

 NSVMUN5111DW1T3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 19900 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    50 ₽
  • 100
    19 ₽
  • 1000
    12.4 ₽
  • 5000
    9.5 ₽
  • 20000
    7.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMUN5111DW1T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5111DW1T3G при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5111DW1T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

  • Основные параметры:
    • Тип: 2-полупроводниковый пин-транзистор (2PNP)
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Стандартная оболочка: SC88
    • Применяется для преамплификации
  • Плюсы:
    • Высокая чувствительность
    • Хорошая стабильность
    • Малые размеры
  • Минусы:
    • Требует дополнительной предварительной подстройки
    • Низкая мощность
  • Общее назначение:
    • Используется для преамплификации в различных электронных устройствах
    • Подходит для аудио приборов
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоприборы
    • Системы звукового воспроизведения
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5111DW1T3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5111

Техническая документация

 NSVMUN5111DW1T3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PUMH9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMH10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMD10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMB2,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMB9,125Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMB9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMB13,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMH20,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMH11,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMB3,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    37Кешбэк 5 баллов
    PBLS1504V,115Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    39Кешбэк 5 баллов
    PBLS4001V,115TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    39Кешбэк 5 баллов
    PUMD9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    41Кешбэк 6 баллов
    PBLS6004D,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    PUMD10,125Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    PUMD16,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD3,165Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH9,135Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD3,135Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH9,165Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMB16,115Транзистор: NOW NEXPERIA PUMB16 - SMALL SIGN
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH9,125Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH14,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD30,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD20,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH10,125Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMD3,125Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH15,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH30,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PQMD12ZТранзистор: NOW NEXPERIA PQMD - SMALL SIGNAL
    56Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП