Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
NSVMUN5111DW1T3G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G
;
NSVMUN5111DW1T3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMUN5111DW1T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5111DW1T3G при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5111DW1T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

  • Основные параметры:
    • Тип: 2-полупроводниковый пин-транзистор (2PNP)
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Стандартная оболочка: SC88
    • Применяется для преамплификации
  • Плюсы:
    • Высокая чувствительность
    • Хорошая стабильность
    • Малые размеры
  • Минусы:
    • Требует дополнительной предварительной подстройки
    • Низкая мощность
  • Общее назначение:
    • Используется для преамплификации в различных электронных устройствах
    • Подходит для аудио приборов
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоприборы
    • Системы звукового воспроизведения
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5111DW1T3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5111

Техническая документация

 NSVMUN5111DW1T3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 19900 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    50 ₽
  • 100
    19 ₽
  • 1000
    12.4 ₽
  • 5000
    9.5 ₽
  • 20000
    7.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMUN5111DW1T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5111DW1T3G при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5111DW1T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

  • Основные параметры:
    • Тип: 2-полупроводниковый пин-транзистор (2PNP)
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Стандартная оболочка: SC88
    • Применяется для преамплификации
  • Плюсы:
    • Высокая чувствительность
    • Хорошая стабильность
    • Малые размеры
  • Минусы:
    • Требует дополнительной предварительной подстройки
    • Низкая мощность
  • Общее назначение:
    • Используется для преамплификации в различных электронных устройствах
    • Подходит для аудио приборов
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоприборы
    • Системы звукового воспроизведения
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5111DW1T3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5111

Техническая документация

 NSVMUN5111DW1T3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    XP0121000LТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5
    25Кешбэк 3 балла
    DMC566030RТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
    111Кешбэк 16 баллов
    XP0431100LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
    56Кешбэк 8 баллов
    XP0421100LТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
    56Кешбэк 8 баллов
    XP0411500LТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6
    24Кешбэк 3 балла
    UP0411100LТранзистор
    80Кешбэк 12 баллов
    BCR133SH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6
    100Кешбэк 15 баллов
    BCR10PNH6327XTSA1Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    102Кешбэк 15 баллов
    MUN5335DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5232DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    42Кешбэк 6 баллов
    UMC3NT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A
    40Кешбэк 6 баллов
    MUN5112DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    27.7Кешбэк 4 балла
    MUN5311DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5313DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    41.4Кешбэк 6 баллов
    MUN5114DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    30.4Кешбэк 4 балла
    MUN5314DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    33Кешбэк 4 балла
    UMH1N-TPТранзистор
    67Кешбэк 10 баллов
    UMH2N-TPТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
    78Кешбэк 11 баллов
    UMH11N-TPТранзистор
    67Кешбэк 10 баллов
    RN4987,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    5.3Кешбэк 1 балл
    RN2902,LF(CTТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1902FE,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN1904,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
    52Кешбэк 7 баллов
    RN2510(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
    65Кешбэк 9 баллов
    RN1509(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
    72Кешбэк 10 баллов
    RN1906,LF(CTТранзистор
    43Кешбэк 6 баллов
    RN4907,LFТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1910FE,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1511(TE85L,F)Транзистор
    65Кешбэк 9 баллов
    RN1607(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
    70Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП