Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NSVMUN5113DW1T3G

NSVMUN5113DW1T3G

NSVMUN5113DW1T3G
;
NSVMUN5113DW1T3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON Semiconductor
  • Артикул:
    NSVMUN5113DW1T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5113DW1T3G при покупке от 206 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5113DW1T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5113DW1T3G

NSVMUN5113DW1T3G ON Semiconductor Транзистор: TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение коллектора-;base (VCEO): 50 В
    • Номинальный ток: 1.3 А
    • Материал: Si (Silicon)
    • Количество полупроводников: Двойной биполярный
    • Пакет: SC88-3
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (50 В)
    • Высокий номинальный ток (1.3 А)
    • Двухполупроводниковая структура для повышения надежности
    • Компактный пакет SC88-3
  • Минусы:
    • Сравнительно высокая цена по сравнению с однополупроводниковыми транзисторами
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Управление нагрузками в системах питания
    • Переключение высоковольтных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Питательных системах для бытовой техники
    • Инверторах
    • Регуляторах напряжения
    • Промышленных системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5113DW1T3G

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 1V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5113

Техническая документация

NSVMUN5113DW1T3G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 206 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    ON Semiconductor
  • Артикул:
    NSVMUN5113DW1T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5113DW1T3G при покупке от 206 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5113DW1T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5113DW1T3G

NSVMUN5113DW1T3G ON Semiconductor Транзистор: TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение коллектора-;base (VCEO): 50 В
    • Номинальный ток: 1.3 А
    • Материал: Si (Silicon)
    • Количество полупроводников: Двойной биполярный
    • Пакет: SC88-3
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (50 В)
    • Высокий номинальный ток (1.3 А)
    • Двухполупроводниковая структура для повышения надежности
    • Компактный пакет SC88-3
  • Минусы:
    • Сравнительно высокая цена по сравнению с однополупроводниковыми транзисторами
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Управление нагрузками в системах питания
    • Переключение высоковольтных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Питательных системах для бытовой техники
    • Инверторах
    • Регуляторах напряжения
    • Промышленных системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5113DW1T3G

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 1V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5113

Техническая документация

NSVMUN5113DW1T3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 206 шт