Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
NSVMUN5215DW1T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMUN5215DW1T1G

NSVMUN5215DW1T1G

NSVMUN5215DW1T1G
;
NSVMUN5215DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMUN5215DW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5215DW1T1G при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5215DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5215DW1T1G

NSVMUN5215DW1T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Напряжение вCollector-Base (VCEO): 50В
    • Максимальный ток Collector (ICMAX): 15А
    • Количество пинов: 3
    • Пакет: SC88
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокий коэффициент усиления
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокое напряжение может повредить транзистор
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
    • Высокие требования к монтажу и соединению
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах предвыведенных транзисторов (TRANS PREBIAS)
    • Регулировка напряжений и токов в электрических цепях
    • Увеличение коэффициента усиления в усилительных цепях
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Телекоммуникационные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5215DW1T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5215

Техническая документация

 NSVMUN5215DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 8450 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    50 ₽
  • 100
    19 ₽
  • 1000
    12.4 ₽
  • 6000
    9.3 ₽
  • 15000
    8.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMUN5215DW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5215DW1T1G при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5215DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5215DW1T1G

NSVMUN5215DW1T1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Напряжение вCollector-Base (VCEO): 50В
    • Максимальный ток Collector (ICMAX): 15А
    • Количество пинов: 3
    • Пакет: SC88
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокий коэффициент усиления
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокое напряжение может повредить транзистор
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
    • Высокие требования к монтажу и соединению
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах предвыведенных транзисторов (TRANS PREBIAS)
    • Регулировка напряжений и токов в электрических цепях
    • Увеличение коэффициента усиления в усилительных цепях
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Телекоммуникационные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5215DW1T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5215

Техническая документация

 NSVMUN5215DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSBA143TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    29.6Кешбэк 4 балла
    NSBC114TDXV6T5TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5114DW1T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBA124EDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC123EPDXV6T1G
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBA114TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBC124XDXV6T1TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC123JPDXV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EPDXV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC143TPDXV6T1Транзистор
    18.5Кешбэк 2 балла
    NSBC114TPDXV6T1TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    16.8Кешбэк 2 балла
    NSVMUN5137DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NSBA124XDXV6T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    EMA6DXV5T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
    16.8Кешбэк 2 балла
    NSBA124EDP6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC114EPDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    52Кешбэк 7 баллов
    NSBC123EPDXV6T1TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    EMA6DXV5T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
    16Кешбэк 2 балла
    NSM21156DW6T1GТранзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
    7.4Кешбэк 1 балл
    EMG2DXV5T5Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5136DW1T1GТранзистор
    48Кешбэк 7 баллов
    MUN5132DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    9.6Кешбэк 1 балл
    MUN5315DW1T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC143ZPDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5211DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    NSVMUN5133DW1T1GТранзистор
    16Кешбэк 2 балла
    NSBC144EDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    22.2Кешбэк 3 балла
    NSBA114TDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    16.8Кешбэк 2 балла
    NSBA114EDXV6T5GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП