NTB6N60

NTB6N60 – это N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) от onsemi, предназначенный для использования в силовых приложениях.

• Основные параметры:
• Напряжение сток-исток (Vds): 600 В
• Максимальный ток стока (Id): 6 А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 2.8 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 3 A)
• Мощность рассеяния (Pd): 62.5 Вт
• Напряжение открытия затвора (Vgs(th)): 2.0 - 4.0 В
• Плюсы:
• Высокое напряжение пробоя (600 В)
• Относительно низкое сопротивление открытого канала
• Простота управления (управляющий сигнал на затвор)
• Минусы:
• Относительно высокое Rds(on) по сравнению с современными MOSFET
• Невысокая скорость переключения по сравнению с некоторыми другими MOSFET
• Общее назначение:
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы
• Автомобильная электроника (например, управление двигателями)
• Силовые преобразователи
• Защитные схемы
• Применяется в устройствах:
• Зарядные устройства
• Драйверы двигателей
• Регуляторы напряжения
• Системы освещения