NTBG160N120SC1

Маркировка NTBG160N120SC1, производитель ON Semiconductor:

• Тип устройства: SICFET (Silicon Carbide FET) N-канальный
• Номинальное напряжение: 1200В
• Номинальный ток: 19.5А
• Форм-фактор: D2PAK

Основные параметры:

• Пределы рабочего диапазона температур: -55°C до +175°C
• Эффективность: высокая при работе с высокими напряжениями и токами
• Частота переключения: до 100 кГц без потери эффективности
• Коэффициент сопротивления: низкий
• Энергетические потери: минимальны благодаря низкому коэффициенту сопротивления

Плюсы:

• Высокая эффективность: особенно заметна при работе с высокими напряжениями и частотами
• Малые размеры: D2PAK позволяет уменьшить размеры электронных систем
• Устойчивость к перегреву: благодаря низкому коэффициенту сопротивления
• Долгий срок службы: из-за минимальных энергетических потерь

Минусы:

• Высокая стоимость: по сравнению с традиционными Si MOSFET
• Сложность в проектировании: требуются специальные знания для оптимального использования
• Требования к проектированию: необходимы дополнительные меры по охлаждению из-за высокой мощности

Общее назначение:

• Применяются в устройствах с высокими требованиями к эффективности и надежности
• Используются в инвертерах, преобразователях напряжения, солнечных батареях, аккумуляторах и других источниках энергии
• Подходят для трансформаторных преобразователей и других устройств с высокими нагрузками