Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTBGS3D5N06C
  • В избранное
  • В сравнение
NTBGS3D5N06C

NTBGS3D5N06C

NTBGS3D5N06C
;
NTBGS3D5N06C

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NTBGS3D5N06C
  • Описание:
    POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127AВсе характеристики

Минимальная цена NTBGS3D5N06C при покупке от 1 шт 831.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTBGS3D5N06C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTBGS3D5N06C

Основные параметры:

  • Маркировка: NTBGS3D5N06C
  • Производитель: ONSEMI
  • Тип: POWER MOSFET
  • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60 В
  • Максимальная токовая способность (ID): 127 А
  • Максимальная частота (fT): 3.7 МГц

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении на телушках (VDS(ON))
  • Высокая скорость переключения благодаря высокой частоте транзистора (fT)
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям, что делает его подходящим для применения в условиях высоких помех
  • Малый размер, что позволяет сэкономить место на печатной плате

Минусы:

  • Высокие потери при высоких температурах, что может привести к увеличению теплового стресса
  • Требует дополнительного охлаждения при длительной работе в режиме полной нагрузки
  • Влияние внешних факторов, таких как электромагнитные помехи, может негативно сказаться на работе

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Передача энергии между различными цепями с разными уровнем напряжений
  • Управление током в различных приборах и системах

Применение:

  • Автомобильные системы
  • Электроприборы
  • Инверторы и преобразователи
  • Системы управления двигателем
  • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NTBGS3D5N06C

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Ta), 127A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V, 12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 24A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 122µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2430 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 115W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Техническая документация

 NTBGS3D5N06C.pdf
pdf. 0 kb
  • 377 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    831 ₽
  • 10
    554 ₽
  • 100
    448 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NTBGS3D5N06C
  • Описание:
    POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127AВсе характеристики

Минимальная цена NTBGS3D5N06C при покупке от 1 шт 831.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTBGS3D5N06C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTBGS3D5N06C

Основные параметры:

  • Маркировка: NTBGS3D5N06C
  • Производитель: ONSEMI
  • Тип: POWER MOSFET
  • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60 В
  • Максимальная токовая способность (ID): 127 А
  • Максимальная частота (fT): 3.7 МГц

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении на телушках (VDS(ON))
  • Высокая скорость переключения благодаря высокой частоте транзистора (fT)
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям, что делает его подходящим для применения в условиях высоких помех
  • Малый размер, что позволяет сэкономить место на печатной плате

Минусы:

  • Высокие потери при высоких температурах, что может привести к увеличению теплового стресса
  • Требует дополнительного охлаждения при длительной работе в режиме полной нагрузки
  • Влияние внешних факторов, таких как электромагнитные помехи, может негативно сказаться на работе

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Передача энергии между различными цепями с разными уровнем напряжений
  • Управление током в различных приборах и системах

Применение:

  • Автомобильные системы
  • Электроприборы
  • Инверторы и преобразователи
  • Системы управления двигателем
  • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NTBGS3D5N06C

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Ta), 127A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V, 12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 24A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 122µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2430 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 115W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Техническая документация

 NTBGS3D5N06C.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPA60R360P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
    382Кешбэк 57 баллов
    BSC014N04LSTATMA1MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC190N15NS3GATMA1MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC0702LSATMA1MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
    385Кешбэк 57 баллов
    IPD80R600P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
    387Кешбэк 58 баллов
    IPAN60R210PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220
    387Кешбэк 58 баллов
    IPA082N10NF2SXKSA1TRENCH >=100V PG-TO220-3
    387Кешбэк 58 баллов
    BSC109N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD70N12S311ATMA1MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
    389Кешбэк 58 баллов
    BSC070N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD85P04P4L06ATMA2MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
    391Кешбэк 58 баллов
    IPD90P03P404ATMA2MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
    393Кешбэк 58 баллов
    IPG20N04S4-08IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
    395Кешбэк 59 баллов
    IPD90R1K2C3ATMA2MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
    395Кешбэк 59 баллов
    ISC0802NLSATMA1MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
    395Кешбэк 59 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    396Кешбэк 59 баллов
    ISZ080N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
    398Кешбэк 59 баллов
    IPB123N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
    398Кешбэк 59 баллов
    ISC0702NLSATMA1MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
    400Кешбэк 60 баллов
    BSZ040N06LS5ATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    402Кешбэк 60 баллов
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    406Кешбэк 60 баллов
    IPD90N03S4L03ATMA1MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    406Кешбэк 60 баллов
    BSZ16DN25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    408Кешбэк 61 балл
    BSZ096N10LS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
    411Кешбэк 61 балл
    BSC016N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
    411Кешбэк 61 балл
    ISC0602NLSATMA1MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
    411Кешбэк 61 балл
    IPP60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    411Кешбэк 61 балл
    IPD380P06NMATMA1MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
    413Кешбэк 61 балл
    IPP50R190CEXKSA1MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
    415Кешбэк 62 балла
    ISC012N04NM6ATMA1TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
    419Кешбэк 62 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП