Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTD360N80S3Z
NTD360N80S3Z

NTD360N80S3Z

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NTD360N80S3Z
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 13A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NTD360N80S3Z при покупке от 1 шт 518.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTD360N80S3Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTD360N80S3Z

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 300µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1143 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-PAK (TO-252)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    NTD360

Техническая документация

 NTD360N80S3Z.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2227 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    518 ₽
  • 10
    359 ₽
  • 100
    263 ₽
  • 500
    253 ₽
  • 1000
    229 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NTD360N80S3Z
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 13A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NTD360N80S3Z при покупке от 1 шт 518.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTD360N80S3Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTD360N80S3Z

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 300µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1143 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-PAK (TO-252)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    NTD360

Техническая документация

 NTD360N80S3Z.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC052N03LSATMA1MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
    113Кешбэк 16 баллов
    IPTC019N10NM5ATMA1MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
    759Кешбэк 113 баллов
    BSC109N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
    388Кешбэк 58 баллов
    TPN4R806PL,L1QMOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
    242Кешбэк 36 баллов
    IAUC100N08S5N031ATMA1MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
    510Кешбэк 76 баллов
    SCT2280KEHRC111200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 651Кешбэк 397 баллов
    HUF75945G3N-CHANNEL POWER MOSFET
    527Кешбэк 79 баллов
    NTTFS4C02NTAGMOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
    87Кешбэк 13 баллов
    IPD60R360CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3-313
    398Кешбэк 59 баллов
    NVMFS5C460NWFT1GMOSFET N-CH 40V 19A/71A 5DFN
    453Кешбэк 67 баллов
    2SK4144-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    619Кешбэк 92 балла
    SIHH180N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
    1 042Кешбэк 156 баллов
    UF4SC120030K4S1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
    4 207Кешбэк 631 балл
    SSM3K361TU,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
    127Кешбэк 19 баллов
    NTP360N80S3ZMOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
    708Кешбэк 106 баллов
    BSC016N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
    410Кешбэк 61 балл
    FDD86367MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
    466Кешбэк 69 баллов
    DMP3007SCG-13MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
    224Кешбэк 33 балла
    DMTH6016LFVWQ-13MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
    151Кешбэк 22 балла
    NTMFS5113PLT1GNFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
    538Кешбэк 80 баллов
    SQJ423EP-T1_BE3P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    307Кешбэк 46 баллов
    SI2310B-TPMOSFET N-CH 60V 3A SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    SQM85N15-19_GE3MOSFET N-CH 150V 85A TO263
    850Кешбэк 127 баллов
    SUM80090E-GE3MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
    504Кешбэк 75 баллов
    TK380P65Y,RQMOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
    532Кешбэк 79 баллов
    STF17N80K5MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
    974Кешбэк 146 баллов
    CSD17318Q2TMOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
    92Кешбэк 13 баллов
    R6009END3TL1MOSFET N-CH 600V 9A TO252
    454Кешбэк 68 баллов
    DMTH10H010SPSQ-13MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
    408Кешбэк 61 балл
    2SK1566-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    541Кешбэк 81 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП