Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTD4809N-1G

NTD4809N-1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTD4809N-1G при покупке от 2427 шт 23.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTD4809N-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTD4809N-1G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.6A (Ta), 58A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 11.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1456 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.4W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    NTD48
Техническая документация
NTD4809N-1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6748 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 2427
    23 ₽

Минимально и кратно 2427 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена NTD4809N-1G при покупке от 2427 шт 23.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTD4809N-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTD4809N-1G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.6A (Ta), 58A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 11.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1456 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.4W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    NTD48
Техническая документация
NTD4809N-1G.pdf
pdf. 0 kb