NTD6N40-001-MO

• Напряжение блокировки (V_GS(th)): Недоступно из предоставленной информации, но обычно для таких транзисторов он составляет около 2-4В.
• Ток утечки: Мало, так как это NFET.
• Резистивность при переходе (R_D(on)): 1.1Ом.
• Коэффициент температурной компенсации: Отсутствует из предоставленной информации.

Плюсы:

• Высокое напряжение блокировки (400В).
• Малая резистивность при переходе (1.1Ом), что снижает потери энергии.
• Устойчивость к перегреву и перенапряжению.
• Простота интеграции в различные электронные устройства.

Минусы:

• Не указано наличие специфических ограничений по току или тепловым характеристикам.
• Для некоторых применений может быть недостаточно быстрым из-за высокой резистивности при переходе.

Общее назначение:

• Использование в схемах управления нагрузкой.
• Переключение высоковольтных цепей.
• Способность работать в режиме регулирования напряжения.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы.
• Питание и регулировка напряжения в бытовой технике.
• Электроника для управления двигателей.
• Системы питания и управления в промышленном оборудовании.