Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTDV20N06LT4G

NTDV20N06LT4G

NTDV20N06LT4G
;
NTDV20N06LT4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTDV20N06LT4G при покупке от 2004 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTDV20N06LT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTDV20N06LT4G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    48mOhm @ 10A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    990 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.36W (Ta), 60W (Tj)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • по запросу
Минимально и кратно 2004 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTDV20N06LT4G при покупке от 2004 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTDV20N06LT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTDV20N06LT4G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    48mOhm @ 10A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    990 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.36W (Ta), 60W (Tj)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 2004 шт