Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
NTE104
NTE104

NTE104

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE104
  • Описание:
    TRANS PNP 35V 10A TO3Все характеристики

Минимальная цена NTE104 при покупке от 1 шт 4418.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE104 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE104

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    35 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    290mV @ 400mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 20mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    90 W
  • Трансформация частоты
    300kHz
  • Рабочая температура
    100°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-204AA, TO-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3
Техническая документация
 NTE104.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 11 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 418 ₽
  • 3
    4 214 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE104
  • Описание:
    TRANS PNP 35V 10A TO3Все характеристики

Минимальная цена NTE104 при покупке от 1 шт 4418.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE104 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE104

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    35 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    290mV @ 400mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 20mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    90 W
  • Трансформация частоты
    300kHz
  • Рабочая температура
    100°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-204AA, TO-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3
Техническая документация
 NTE104.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AC857CQ-7TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
    BC846A RFGTRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    2SC3618-T1-AZSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    SMBT1588LT3SS SOT23 GP XSTR SPCL TR
    2SCR544RTRANS NPN 80V 2.5A SOT23-3
    BC846CLT1GTRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
    2SD774-T-AZSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    2SD1725TPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    H5N2521FN-E-ARPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    BUL42DPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    MJE16004MAX II POWER TRANSISTOR
    BCX53-10TXTRANS PNP 80V 1A SOT89
    2N6134PNP POWER TRANSISTOR
    BC856A RFGTRANS PNP 65V 0.1A SOT23
    D44Q3121NPN POWER TRANSISTOR
    BCP56FTRANS NPN 80V 1A SOT223
    CXT2222A TR PBFREETRANS NPN 40V 0.6A SOT89
    SMBT3904E6767Транзистор: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
    RCA1A09NPN POWER TRANSISTOR
    2SD882-AZТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    2SA1579U3HZGT106RTRANS PNP 120V 0.05A UMT3
    2SC3393S-ACBIP NPN 0.5A 50V
    2N3707 PBFREETRANS NPN 30V TO92-3
    2SC3661-TB-ENPN SILICON TRANSISTOR
    2SC4102U3HZGT106STRANS NPN 120V 0.05A UMT3
    2SC2853E-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    2SA1524-ACSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    2SC3775-3-TB-EТранзистор: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
    FJPF19430TUPOWER BIPOLAR TRANSISTOR
    SBC807-25LT1TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП