Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
NTE154
  • В избранное
  • В сравнение
NTE154

NTE154

NTE154
;
NTE154

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE154
  • Описание:
    TRANS NPN 300V TO39Все характеристики

Минимальная цена NTE154 при покупке от 1 шт 1305.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE154 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE154

NTE154 NTE Electronics Inc TRANS NPN 300V TO39

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение базы-эмиттера (VBE(on)): ~600 мВ
    • Номинальная мощность: 2 Вт
    • Номинальный ток коллектора (IC(max)): 1 А
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE(max)): 300 В
    • Тип корпуса: TO39
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота использования в различных схемах
  • Минусы:
    • Меньше, чем современные транзисторы, по энергоэффективности
    • Большой размер корпуса по сравнению с другими типами
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Регуляторы напряжения
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Электронные часы и другие небольшие приборы
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NTE154

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    300 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 2mA, 20mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 30mA, 20V
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Трансформация частоты
    50MHz
  • Рабочая температура
    200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-39

Техническая документация

 NTE154.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 305 ₽
  • 2
    1 088 ₽
  • 5
    957 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE154
  • Описание:
    TRANS NPN 300V TO39Все характеристики

Минимальная цена NTE154 при покупке от 1 шт 1305.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE154 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE154

NTE154 NTE Electronics Inc TRANS NPN 300V TO39

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение базы-эмиттера (VBE(on)): ~600 мВ
    • Номинальная мощность: 2 Вт
    • Номинальный ток коллектора (IC(max)): 1 А
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE(max)): 300 В
    • Тип корпуса: TO39
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота использования в различных схемах
  • Минусы:
    • Меньше, чем современные транзисторы, по энергоэффективности
    • Большой размер корпуса по сравнению с другими типами
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Регуляторы напряжения
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Электронные часы и другие небольшие приборы
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NTE154

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    300 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 2mA, 20mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 30mA, 20V
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Трансформация частоты
    50MHz
  • Рабочая температура
    200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-39

Техническая документация

 NTE154.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BC807-40W-AU_R1_000A1TRANS PNP 45V 0.5A SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    BC817-16_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC856A_R1_00001TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC857A-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC857BW-AU_R1_000A1TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
    22.2Кешбэк 3 балла
    PBHV8110DA-AU_R1_000A1TRANS NPN 100V 1A SOT23
    48Кешбэк 7 баллов
    MMBTA05_R1_00001TRANS NPN 60V 0.5A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBTA55_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC848B-AU_R1_000A1TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC858C_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC847A-AU_R1_000A1TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC848B_R1_00001TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC856A-AU_R1_000A1TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC817-16-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC850C-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC846B_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC857A_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBT2907A-AU_R1_000A2TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    MMBTA56-AU_R1_000A1TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    2SC2411K_R1_00001TRANS NPN 32V 0.5A SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    PBHV8050SA_R1_00001TRANS NPN 500V 0.15A SOT23
    63Кешбэк 9 баллов
    MMBT5401-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS PNP 150V 0.6A SOT23
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BC817-25W-AU_R1_000A1TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC846A-AU_R1_000A1TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBTA06W_R1_00001TRANS NPN 80V 0.5A SOT323
    50Кешбэк 7 баллов
    BC846A_R1_00001TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBT3906W_R1_00001TRANS PNP 40V 0.2A SOT323
    28Кешбэк 4 балла
    MMBTA05-AU_R1_000A1TRANS NPN 60V 0.5A SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    PBHV9110DA-AU_R1_000A1TRANS PNP 100V 1A SOT23
    59Кешбэк 8 баллов
    PBHV9110DA_R1_00001TRANS PNP 100V 1A SOT23
    69Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП