Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
NTE16003
  • В избранное
  • В сравнение
NTE16003

NTE16003

NTE16003
;
NTE16003

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE16003
  • Описание:
    Транзистор: T-NPN SI RF PO=7.5 WATTSВсе характеристики

Минимальная цена NTE16003 при покупке от 1 шт 7225.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE16003 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE16003

NTE16003 NTE Electronics Inc Транзистор: T-NPN SI RF PO=7.5 WATTS

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Материал: Si (silicon)
    • Применение: RF (радиочастотная) диапазон
    • Максимальная мощность: 7.5 Ватт
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к перегреву благодаря высокой мощности
    • Надежность и долговечность
    • Доступность и экономичность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для предотвращения перегрева при работе на максимальной мощности
    • Сложность в проектировании для начинающих инженеров
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах
    • Подходит для усилителей радиочастотного сигнала
    • Используется в трансиверах и радиоприемниках
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизионные приемники
    • Радиопередатчики
    • Мобильные телефоны
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NTE16003

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40V
  • Трансформация частоты
    500MHz
  • Рассеивание мощности
    11.6W
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1.5A
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Stud Mount
  • Корпус
    TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud
  • Исполнение корпуса
    TO-60

Техническая документация

 NTE16003.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 225 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE16003
  • Описание:
    Транзистор: T-NPN SI RF PO=7.5 WATTSВсе характеристики

Минимальная цена NTE16003 при покупке от 1 шт 7225.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE16003 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE16003

NTE16003 NTE Electronics Inc Транзистор: T-NPN SI RF PO=7.5 WATTS

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Материал: Si (silicon)
    • Применение: RF (радиочастотная) диапазон
    • Максимальная мощность: 7.5 Ватт
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к перегреву благодаря высокой мощности
    • Надежность и долговечность
    • Доступность и экономичность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для предотвращения перегрева при работе на максимальной мощности
    • Сложность в проектировании для начинающих инженеров
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах
    • Подходит для усилителей радиочастотного сигнала
    • Используется в трансиверах и радиоприемниках
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизионные приемники
    • Радиопередатчики
    • Мобильные телефоны
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NTE16003

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40V
  • Трансформация частоты
    500MHz
  • Рассеивание мощности
    11.6W
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1.5A
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Stud Mount
  • Корпус
    TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud
  • Исполнение корпуса
    TO-60

Техническая документация

 NTE16003.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFR740L3RHE6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
    117Кешбэк 17 баллов
    15GN03F-TL-EТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSVF3007SG3T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
    29.6Кешбэк 4 балла
    NSVF5501SKT3GТранзистор: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
    67Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT3GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    70Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT1GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    70Кешбэк 10 баллов
    NSVF5488SKT3GТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
    76Кешбэк 11 баллов
    CPH6074-TL-EТранзистор: TRANSISTOR
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVF4015SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
    82Кешбэк 12 баллов
    NSVF4020SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
    91Кешбэк 13 баллов
    NSVF6003SB6T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    91Кешбэк 13 баллов
    NSVF6001SB6T1GТранзистор: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
    102Кешбэк 15 баллов
    MX0912B351YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    46 557Кешбэк 6 983 балла
    MZ0912B50YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    52 810Кешбэк 7 921 балл
    BLS3135-65IТранзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPL
    84 063Кешбэк 12 609 баллов
    NTE54Транзистор: RF TRANS NPN 150V 30MHZ TO220
    317Кешбэк 47 баллов
    NTE319Транзистор: RF TRANS NPN 20V TO72
    556Кешбэк 83 балла
    NTE224Транзистор: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39
    741Кешбэк 111 баллов
    NTE69RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92
    750Кешбэк 112 баллов
    NTE2401Транзистор: RF TRANS PNP 30V 450MHZ SOT23
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE64Транзистор: RF TRANS NPN 15V 4.5GHZ 4SMD
    1 375Кешбэк 206 баллов
    NTE237Транзистор: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39
    1 667Кешбэк 250 баллов
    NTE236Транзистор: RF TRANS NPN 25V TO220
    1 723Кешбэк 258 баллов
    NTE55Транзистор: RF TRANS PNP 150V 30MHZ TO220
    1 926Кешбэк 288 баллов
    NTE195AТранзистор: RF TRANS NPN 70V TO39
    2 026Кешбэк 303 балла
    NTE311Транзистор: RF TRANS NPN 30V 800MHZ TO39
    2 029Кешбэк 304 балла
    NTE16003Транзистор: T-NPN SI RF PO=7.5 WATTS
    7 225Кешбэк 1 083 балла
    ON5088,115Транзистор: RF TRANS NPN 10V 55GHZ 4DFP
    74Кешбэк 11 баллов
    MT3S111TU,LFТранзистор: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
    57Кешбэк 8 баллов
    MT3S111(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
    102Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП