Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
NTE16006
  • В избранное
  • В сравнение
NTE16006

NTE16006

NTE16006
;
NTE16006

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE16006
  • Описание:
    TRANS NPN 20V 0.7A 3SIPВсе характеристики

Минимальная цена NTE16006 при покупке от 1 шт 741.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE16006 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE16006

NTE16006 NTE Electronics Inc TRANS NPN 20V 0.7A 3SIP — это транзистор ненасыщенный NPN типа с напряжением срабатывания 20В и током прямого тока 0.7А. Он упакован в трехполупроводниковый корпус (3SIP).

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Напряжение срабатывания: 20В
    • Ток прямого тока: 0.7А
    • Количество полупроводников: 3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Не рекомендован для высокочастотных приложений из-за возможного размытия сигнала
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с максимальным током
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока
    • Переключение электрических цепей
    • Усиление сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Системах управления
    • Автомобильных приборах
    • Игровых консолях
    • Микросхемах
    • Медицинском оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики NTE16006

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    700 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Трансформация частоты
    55MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    3-SIP
  • Исполнение корпуса
    3-SIP

Техническая документация

 NTE16006.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    741 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE16006
  • Описание:
    TRANS NPN 20V 0.7A 3SIPВсе характеристики

Минимальная цена NTE16006 при покупке от 1 шт 741.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE16006 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE16006

NTE16006 NTE Electronics Inc TRANS NPN 20V 0.7A 3SIP — это транзистор ненасыщенный NPN типа с напряжением срабатывания 20В и током прямого тока 0.7А. Он упакован в трехполупроводниковый корпус (3SIP).

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Напряжение срабатывания: 20В
    • Ток прямого тока: 0.7А
    • Количество полупроводников: 3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Не рекомендован для высокочастотных приложений из-за возможного размытия сигнала
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с максимальным током
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока
    • Переключение электрических цепей
    • Усиление сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Системах управления
    • Автомобильных приборах
    • Игровых консолях
    • Микросхемах
    • Медицинском оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики NTE16006

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    700 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Трансформация частоты
    55MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    3-SIP
  • Исполнение корпуса
    3-SIP

Техническая документация

 NTE16006.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE376TRANS NPN 300V 0.2A TO220
    1 534Кешбэк 230 баллов
    NTE384TRANS NPN 350V 7A TO66
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE2431TRANS PNP 300V 1A SOT89
    556Кешбэк 83 балла
    NTE2429TRANS PNP 80V 1A SOT89
    556Кешбэк 83 балла
    NTE243TRANS NPN DARL 80V 8A TO3
    2 034Кешбэк 305 баллов
    NTE2517TRANS NPN 50V 2.5A TO204AA
    556Кешбэк 83 балла
    NTE250TRANS PNP DARL 100V 16A TO3
    2 501Кешбэк 375 баллов
    NTE263TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
    1 451Кешбэк 217 баллов
    NTE81TRANS NPN 30V 0.5A TO99
    8 582Кешбэк 1 287 баллов
    NTE102ATRANS PNP 1A TO1
    2 425Кешбэк 363 балла
    NTE306TRANS NPN 50V 1.5A TO202
    1 389Кешбэк 208 баллов
    NTE16006TRANS NPN 20V 0.7A 3SIP
    741Кешбэк 111 баллов
    NTE387TRANS NPN 150V 50A TO3
    6 021Кешбэк 903 балла
    NTE383TRANS PNP 100V 1A TO92L
    784Кешбэк 117 баллов
    NTE388TRANS NPN 250V 16A TO3
    3 741Кешбэк 561 балл
    NTE399TRANS NPN 300V 0.1A TO92L
    1 359Кешбэк 203 балла
    NTE249TRANS NPN DARL 100V 16A TO3
    2 501Кешбэк 375 баллов
    NTE53TRANS NPN 400V 15A TO3
    4 152Кешбэк 622 балла
    NTE89TRANS NPN 600V 6A TO3
    3 752Кешбэк 562 балла
    CMBT2222A-TTRANS NPN 40V 0.6A SOT23
    5.6Кешбэк 1 балл
    SSTA56HZGT116TRANS PNP 80V 0.5A SST3
    52Кешбэк 7 баллов
    2SCR552P5T100TRANS NPN 30V 3A MPT3
    152Кешбэк 22 балла
    2SC4081U3T106QTRANS NPN 50V 0.15A UMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    2SA2029FHAT2LRTRANS PNP 50V 0.15A VMT3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    2SC5876U3HZGT106QTRANS NPN 60V 0.5A UMT3
    120Кешбэк 18 баллов
    SSTA06HZGT116TRANS NPN 80V 0.5A SST3
    41Кешбэк 6 баллов
    2SC4617EBHZGTLQTRANS NPN 50V 0.15A EMT3F
    52Кешбэк 7 баллов
    BC847BU3HZGT106TRANS NPN 45V 0.1A UMT3
    52Кешбэк 7 баллов
    SST2907AHZGT116TRANS PNP 60V 0.6A SST3
    33.3Кешбэк 4 балла
    2SA1579U3T106STRANS PNP 120V 0.05A UMT3
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП