Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
NTE214
  • В избранное
  • В сравнение
NTE214

NTE214

NTE214
;
NTE214

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE214
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 60V 10A TO3PВсе характеристики

Минимальная цена NTE214 при покупке от 1 шт 586.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE214 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE214

NTE214 NTE Electronics TRANS NPN DARL 60V 10A TO3P — это транзистор на базе НПН с дарlington-мостом, который предназначен для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях.

  • Основные параметры:
    • Диодная схема (Darlington)
    • Уровень напряжения: 60В
    • Максимальный ток: 10А
    • Форм-фактор: TO3P
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент усиления благодаря дарlington-мосту
    • Высокая мощность и способность обрабатывать большие токи
    • Стабильное функционирование при высоких напряжениях
  • Минусы:
    • Высокие затраты на теплоотвод из-за большого тепловыделения
    • Высокое входное сопротивление может вызвать проблемы при работе с низким уровнем сигнала

Общее назначение: Используется для управления высокими токами и напряжениями в различных приборах и системах, таких как инверторы, преобразователи питания, системы управления двигателями и пр.

Применяется в:

  • Инверторах
  • Преобразователях питания
  • Системах управления двигателями
  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании

Выбрано: Показать

Характеристики NTE214

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 10mA, 5A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    2000 @ 5A, 2V
  • Рассеивание мощности
    2.5 W
  • Трансформация частоты
    20MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P

Техническая документация

 NTE214.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    586 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE214
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 60V 10A TO3PВсе характеристики

Минимальная цена NTE214 при покупке от 1 шт 586.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE214 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE214

NTE214 NTE Electronics TRANS NPN DARL 60V 10A TO3P — это транзистор на базе НПН с дарlington-мостом, который предназначен для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях.

  • Основные параметры:
    • Диодная схема (Darlington)
    • Уровень напряжения: 60В
    • Максимальный ток: 10А
    • Форм-фактор: TO3P
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент усиления благодаря дарlington-мосту
    • Высокая мощность и способность обрабатывать большие токи
    • Стабильное функционирование при высоких напряжениях
  • Минусы:
    • Высокие затраты на теплоотвод из-за большого тепловыделения
    • Высокое входное сопротивление может вызвать проблемы при работе с низким уровнем сигнала

Общее назначение: Используется для управления высокими токами и напряжениями в различных приборах и системах, таких как инверторы, преобразователи питания, системы управления двигателями и пр.

Применяется в:

  • Инверторах
  • Преобразователях питания
  • Системах управления двигателями
  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании

Выбрано: Показать

Характеристики NTE214

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 10mA, 5A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    2000 @ 5A, 2V
  • Рассеивание мощности
    2.5 W
  • Трансформация частоты
    20MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P

Техническая документация

 NTE214.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SMBT1565LT1GHI VOLT NPN SOT-23 TRANS
    7.5Кешбэк 1 балл
    SBC807-40LT3Транзистор: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTA114EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTC143EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    2SB926S-AASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    28Кешбэк 4 балла
    2SB926T-AASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    22.4Кешбэк 3 балла
    DTA124EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTA144EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTA123EТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTA114TТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    BUD43B-001SWITCHMODE NPN SILICON PLANAR PO
    99Кешбэк 14 баллов
    2SC3689-TB-ENPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
    99Кешбэк 14 баллов
    MMBC1654N7LT1SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    15Кешбэк 2 балла
    NSBA143TDXV6T5Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    13Кешбэк 1 балл
    DTA143EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    SBCX19LT1TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    5.6Кешбэк 1 балл
    2SD826GSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    75Кешбэк 11 баллов
    2SA1709T-EPN-ANBIP PNP 2A 100V
    37Кешбэк 5 баллов
    MBT3906DW1T3Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTC114YТранзистор: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    SSVPZTA92T1HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP
    71Кешбэк 10 баллов
    PZT2222AT1HТранзистор: SS SOT223 SW XSTR NPN 40V
    60Кешбэк 9 баллов
    DTC114TXV3T1Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    BCW68G-ONTRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
    13Кешбэк 1 балл
    BC558CRL1Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    SPS9607RLRMSS T092 GP XSTR PNP SPCL
    7.5Кешбэк 1 балл
    BC337-016TRANS NPN 45V 0.8A TO92
    13Кешбэк 1 балл
    BCW61BLT3SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    CPH3110-TL-EPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
    32Кешбэк 4 балла
    PZTA14T3SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    26Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП