Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
NTE221
NTE221

NTE221

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE221
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH VHF AMP/MIXВсе характеристики

Минимальная цена NTE221 при покупке от 1 шт 2215.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE221 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE221

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Усиление
    20dB
  • Тестовое напряжение
    13 V
  • Current Rating (Amps)
    18mA
  • Уровень шума
    5dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    20 V
  • Корпус
    TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-72

Техническая документация

 NTE221.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 4 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 215 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE221
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH VHF AMP/MIXВсе характеристики

Минимальная цена NTE221 при покупке от 1 шт 2215.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE221 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE221

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Усиление
    20dB
  • Тестовое напряжение
    13 V
  • Current Rating (Amps)
    18mA
  • Уровень шума
    5dB
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    20 V
  • Корпус
    TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-72

Техническая документация

 NTE221.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1482-T-AZSMALL SIGNAL FET
    111Кешбэк 16 баллов
    CGH27060FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    61 701Кешбэк 9 255 баллов
    BLF989ESUТранзистор: BLF989ES/SOT539/TRAY
    40 422Кешбэк 6 063 балла
    CLF3H0060-30UТранзистор: CLF3H0060-30U/SOT1227/TRAY
    47 390Кешбэк 7 108 баллов
    MCH6305-H-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    33Кешбэк 4 балла
    BLM9D1822-30BZBLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
    5 377Кешбэк 806 баллов
    CE3514M4Транзистор: RF FET 4V 12GHZ SOT343
    511Кешбэк 76 баллов
    CPH6602-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    42.4Кешбэк 6 баллов
    MRF1K50HR5Транзистор: HIGH POWER RF TRANSISTOR
    70 874Кешбэк 10 631 балл
    GTRA384802FC-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
    54 227Кешбэк 8 134 балла
    2SK852-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    2SK515-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    37Кешбэк 5 баллов
    WP2806045UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W
    27 943Кешбэк 4 191 балл
    MCH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    48Кешбэк 7 баллов
    CPH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    BLM9D1822S-60PBGYBLM9D1822S-60PBG/OMP780/REELDP
    10 796Кешбэк 1 619 баллов
    BLF0910H6LS500UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751
    26 610Кешбэк 3 991 балл
    A2G35S200-01SR3Транзистор: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
    30 611Кешбэк 4 591 балл
    BLM9D2325-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 014Кешбэк 902 балла
    74CBTLV3126PWRМикросхема: IC LV QUAD FET BUS SW 14-TSSOP
    135Кешбэк 20 баллов
    MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.5Кешбэк 2 балла
    BLP0408H9S30ZТранзистор: BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
    6 754Кешбэк 1 013 баллов
    CG2H30070FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V
    95 306Кешбэк 14 295 баллов
    CGHV31500F1Транзистор: 500W, 50V, 2.7-3.1GHZ GAN HEMT
    229 278Кешбэк 34 391 балл
    BLC2425M9LS250ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
    23 392Кешбэк 3 508 баллов
    BLC10G27LS-320AVTZТранзистор: BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD
    15 455Кешбэк 2 318 баллов
    BF2040E6814HTSA1Транзистор: RF MOSFET N-CH 5V SOT143-4
    54Кешбэк 8 баллов
    CPH3441-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    55Кешбэк 8 баллов
    CGH35240FТранзистор: 240W GAN HEMT 28V 3.1-3.5GHZ FET
    170 554Кешбэк 25 583 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП