Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTE2389
  • В избранное
  • В сравнение
NTE2389

NTE2389

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE2389
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220Все характеристики

Минимальная цена NTE2389 при покупке от 1 шт 2465.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE2389 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE2389

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Ta)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 NTE2389.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 465 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE2389
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220Все характеристики

Минимальная цена NTE2389 при покупке от 1 шт 2465.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE2389 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE2389

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Ta)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 NTE2389.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
    2 171Кешбэк 325 баллов
    RF4L040ATTCRДиод: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
    142Кешбэк 21 балл
    2SK3991-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    DMTH84M1SPSQ-13MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
    536Кешбэк 80 баллов
    IXFN100N65X2MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
    6 160Кешбэк 924 балла
    DMP4011SK3-13MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
    355Кешбэк 53 балла
    IPW60R099C6FKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
    1 289Кешбэк 193 балла
    G08P06D3P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
    220Кешбэк 33 балла
    IPAN60R125PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220
    560Кешбэк 84 балла
    EPC2034CGANFET N-CH 200V 48A DIE
    1 914Кешбэк 287 баллов
    AONR21357Транзистор: MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
    200Кешбэк 30 баллов
    NVD5C454NT4GMOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK
    466Кешбэк 69 баллов
    NVMFS6H818NLT1GMOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
    762Кешбэк 114 баллов
    NVBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
    6 519Кешбэк 977 баллов
    SQJA92EP-T1_GE3MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
    270Кешбэк 40 баллов
    RJK03J7DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    105Кешбэк 15 баллов
    NTE2380MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220
    1 250Кешбэк 187 баллов
    2N7002BKVLMOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    DI035P04PT-AQMOSFET, -40V, -35A, P, 25W
    157Кешбэк 23 балла
    IRFPG42N-CHANNEL POWER MOSFET
    477Кешбэк 71 балл
    FQA8N80N-CHANNEL POWER MOSFET
    333Кешбэк 49 баллов
    RQ3E160ADTB1NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
    353Кешбэк 52 балла
    RYC002N05T316MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
    74Кешбэк 11 баллов
    PSMN3R5-40YSDXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
    344Кешбэк 51 балл
    SI2333DDS-T1-BE3P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
    109Кешбэк 16 баллов
    MCG30N03A-TPMOSFET N-CH 30V 30A DFN3333
    150Кешбэк 22 балла
    IPP024N08NF2SAKMA1TRENCH 40<-<100V
    620Кешбэк 93 балла
    HUF76121P3N-CHANNEL POWER MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    SSM3K7002KFU,LFMOSFET N-CH 60V 400MA USM
    31.4Кешбэк 4 балла
    DMN2024UFDF-7MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП