NTE2416

NTE2416 NTE Electronics Транзистор: T-NPN SI WITH 22K RES.

• Основные параметры:
• Тип: T-NPN
• Материал: Si (Silicon)
• Противодавление коллектора-эмиттера: до 30 В
• Потребляемая мощность: до 500 мВ
• Потенциал насыщения: до 1 В
• Резистанс между базой и эмиттером при Vce=Vbb=0: 22 кОм
• Плюсы:
• Низкий резистанс между базой и эмиттером при нулевом напряжении на коллекторе-эмиттере
• Высокая надежность и долговечность
• Устойчивость к электрическим шумам
• Низкое потребление энергии
• Минусы:
• Небольшая мощность
• Высокий резистанс между базой и эмиттером при нулевом напряжении на коллекторе-эмиттере может ограничивать его использование в некоторых схемах
• Общее назначение:
• Аmplификация сигналов
• Контроль тока в цепях
• Изменение напряжения на нагрузке
• В каких устройствах применяется:
• Системы управления освещением
• Автоматические регуляторы уровня света
• Датчики движения
• Простые электронные часы