Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
NTE2417
  • В избранное
  • В сравнение
NTE2417

NTE2417

NTE2417
;
NTE2417

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE2417
  • Описание:
    Транзистор: T-PNP SI WITH 22K RESВсе характеристики

Минимальная цена NTE2417 при покупке от 1 шт 165.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE2417 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE2417

NTE2417 NTE Electronics Транзистор: T-PNP SI WITH 22K RES.

  • Основные параметры:
    • Тип: T-PNP
    • Материал: Si (силicon)
    • Сопротивление резистора: 22 кОм
  • Плюсы:
    • Надежность работы благодаря использованию Si
    • Высокая стабильность при изменении температуры
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Резистор может ограничивать максимальный ток
    • Необходимо учитывать его влияние на характеристики транзистора
  • Общее назначение:
    • Используется для управления нагрузкой
    • Для уменьшения уровня сигнала (уменьшения напряжения)
    • Компенсация температурных изменений
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные часы и другие низкопотребление устройства
    • Цифровые приборы и системы управления
    • Промышленное оборудование с контролируемыми нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики NTE2417

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    200 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 NTE2417.pdf
pdf. 0 kb
  • 23 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    165 ₽
  • 5
    161 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE2417
  • Описание:
    Транзистор: T-PNP SI WITH 22K RESВсе характеристики

Минимальная цена NTE2417 при покупке от 1 шт 165.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE2417 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE2417

NTE2417 NTE Electronics Транзистор: T-PNP SI WITH 22K RES.

  • Основные параметры:
    • Тип: T-PNP
    • Материал: Si (силicon)
    • Сопротивление резистора: 22 кОм
  • Плюсы:
    • Надежность работы благодаря использованию Si
    • Высокая стабильность при изменении температуры
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Резистор может ограничивать максимальный ток
    • Необходимо учитывать его влияние на характеристики транзистора
  • Общее назначение:
    • Используется для управления нагрузкой
    • Для уменьшения уровня сигнала (уменьшения напряжения)
    • Компенсация температурных изменений
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные часы и другие низкопотребление устройства
    • Цифровые приборы и системы управления
    • Промышленное оборудование с контролируемыми нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики NTE2417

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    200 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 NTE2417.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTA143ZEFRATLТранзистор: DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 100MA
    37Кешбэк 5 баллов
    DTA124ECAT116Транзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    43Кешбэк 6 баллов
    DTD123YCHZGT116Транзистор: DTD123YCHZG IS THE HIGH RELIABIL
    52Кешбэк 7 баллов
    DTC114TCAHZGT116Транзистор: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
    35Кешбэк 5 баллов
    DTC123EEBTLТранзистор: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
    46Кешбэк 6 баллов
    DTA024XEBTLТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    37Кешбэк 5 баллов
    DTA123EEFRATLТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
    46Кешбэк 6 баллов
    DTA143EU3T106Транзистор: DTA143EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    33.3Кешбэк 4 балла
    DTC143ECAT116Транзистор: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
    43Кешбэк 6 баллов
    DTA123JEBHZGTLТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    37Кешбэк 5 баллов
    DTC114YMFHAT2LТранзистор: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
    43Кешбэк 6 баллов
    DTC124TCAT116Транзистор: DTC124TCA IS AN DIGITAL TRANSIST
    65Кешбэк 9 баллов
    DTA144EU3HZGT106Транзистор: DTA144EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTD113ECHZGT116Транзистор: 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC143ECAHZGT116Транзистор: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
    31.5Кешбэк 4 балла
    DTC144WCAT116Транзистор: DTC144WCA IS AN DIGITAL TRANSIST
    50Кешбэк 7 баллов
    DTC115EEBTLТранзистор: NPN, 3-PINNPN DIGITAL TRANSISTOR
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143EU3HZGT106Транзистор: DTC143EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA143TU3T106Транзистор: DTA143TU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    33.3Кешбэк 4 балла
    DTA114EU3HZGT106Транзистор: DTA114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTB113ECT116Транзистор: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTA114EUBHZGTLТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    37Кешбэк 5 баллов
    DTB114ECHZGT116Транзистор: PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
    43Кешбэк 6 баллов
    DTC114GU3T106Транзистор: DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    33.3Кешбэк 4 балла
    DTA124EU3T106Транзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    33.3Кешбэк 4 балла
    DTA143ZEBHZGTLТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    33.3Кешбэк 4 балла
    DTD143EKFRAT146Транзистор: DTD143EKFRA IS A TRANSISTOR WITH
    130Кешбэк 19 баллов
    DTC143TU3HZGT106Транзистор: DTC143TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA123JCAHZGT116Транзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTA013ZMT2LТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    19Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП