Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
NTE266
  • В избранное
  • В сравнение
NTE266

NTE266

NTE266
;
NTE266

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE266
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO202Все характеристики

Минимальная цена NTE266 при покупке от 1 шт 982.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE266 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE266

NTE266 NTE Electronics TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO202 — это транзистор на базе Darlington-конфигурации (Дарлингтон), который используется для усиления тока. Вот основные параметры:

  • Номинальное напряжение между эмиттером и коллектиром (VCEO): 50В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 0,5А
  • Тип: NPN (непроводящий канал N)
  • Монтаж: TO202

Плюсы:

  • Высокий коэффициент усиления благодаря Darlington-конфигурации
  • Устойчивость к помехам благодаря использованию Darlington-конфигурации
  • Малые размеры за счет компактного TO202 корпуса

Минусы:

  • Высокое энергетическое сопротивление (Ron) Darlington-транзистора
  • Высокие значения тока и мощности могут привести к перегреву

Общее назначение:

  • Усиление тока в различных электронных схемах
  • Управление нагрузками при высоких токах
  • Использование в источниках питания

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Источники питания
  • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики NTE266

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 500µA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40000 @ 200mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    1.33 W
  • Трансформация частоты
    75MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-202 Long Tab
  • Исполнение корпуса
    TO-202

Техническая документация

 NTE266.pdf
pdf. 0 kb
  • 6 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    982 ₽
  • 3
    943 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE266
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO202Все характеристики

Минимальная цена NTE266 при покупке от 1 шт 982.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE266 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE266

NTE266 NTE Electronics TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO202 — это транзистор на базе Darlington-конфигурации (Дарлингтон), который используется для усиления тока. Вот основные параметры:

  • Номинальное напряжение между эмиттером и коллектиром (VCEO): 50В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 0,5А
  • Тип: NPN (непроводящий канал N)
  • Монтаж: TO202

Плюсы:

  • Высокий коэффициент усиления благодаря Darlington-конфигурации
  • Устойчивость к помехам благодаря использованию Darlington-конфигурации
  • Малые размеры за счет компактного TO202 корпуса

Минусы:

  • Высокое энергетическое сопротивление (Ron) Darlington-транзистора
  • Высокие значения тока и мощности могут привести к перегреву

Общее назначение:

  • Усиление тока в различных электронных схемах
  • Управление нагрузками при высоких токах
  • Использование в источниках питания

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Источники питания
  • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики NTE266

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 500µA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40000 @ 200mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    1.33 W
  • Трансформация частоты
    75MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-202 Long Tab
  • Исполнение корпуса
    TO-202

Техническая документация

 NTE266.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BC846AHE3-TPTRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    BC817-16HE3-TPТранзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    MMS9012HE3-H-TPTRANS PNP 25V 0.5A SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    BCP56-16-TPTRANS NPN 80V 1A SOT223
    69Кешбэк 10 баллов
    MMS8050HE3-H-TPTRANS NPN 25V 0.5A SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    BCX53-16-TPTRANS PNP 80V 1A SOT89
    70Кешбэк 10 баллов
    BCX56-TPTRANS NPN 80V 1A SOT89
    89Кешбэк 13 баллов
    2SA1213-Y-TPTRANS PNP 50V 2A SOT89
    100Кешбэк 15 баллов
    BCX56-16HE3-TPТранзистор: TRANS NPN 80V 1A SOT89
    78Кешбэк 11 баллов
    BCP53-16-TPTRANS PNP 80V 1A SOT223
    89Кешбэк 13 баллов
    MMBT5550-TPTRANS NPN 140V 0.6A SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла
    BCP51-16-TPTRANS PNP 45V 1A SOT223
    89Кешбэк 13 баллов
    FMMT619-GTRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    104Кешбэк 15 баллов
    SS8050-GТранзистор: TRANS NPN 25V 1.5A SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MMBT4403-HFTRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    MMBTA06-HFTRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
    54Кешбэк 8 баллов
    MMBT5551-HFTRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    MMBT4401-HFTRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    ASS8550-L-HFTRANS PNP 25V 1.5A SOT23-3
    72Кешбэк 10 баллов
    MMBTA44-GTRANS NPN 400V 0.2A SOT23-3
    107Кешбэк 16 баллов
    ASS8050-L-HFTRANS NPN 25V 1.5A SOT23-3
    72Кешбэк 10 баллов
    ABC817-16-HFТранзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    MMBTA42-HFTRANS NPN 300V 0.3A SOT23-3
    57Кешбэк 8 баллов
    BC856BW-GTRANS PNP 65V 0.1A SOT323
    33.3Кешбэк 4 балла
    ABC807-16-HFTRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    MMBTA92-HFTRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BC858BW-GTRANS PNP 30V 0.1A SOT323
    41Кешбэк 6 баллов
    MMBTA05-HFTRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
    54Кешбэк 8 баллов
    BC856B-HFTRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    BC857AW-GTRANS PNP 45V 0.1A SOT323
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП