Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
NTE266
  • В избранное
  • В сравнение
NTE266

NTE266

NTE266
;
NTE266

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE266
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO202Все характеристики

Минимальная цена NTE266 при покупке от 1 шт 691.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE266 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE266

NTE266 NTE Electronics TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO202 — это транзистор на базе Darlington-конфигурации (Дарлингтон), который используется для усиления тока. Вот основные параметры:

  • Номинальное напряжение между эмиттером и коллектиром (VCEO): 50В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 0,5А
  • Тип: NPN (непроводящий канал N)
  • Монтаж: TO202

Плюсы:

  • Высокий коэффициент усиления благодаря Darlington-конфигурации
  • Устойчивость к помехам благодаря использованию Darlington-конфигурации
  • Малые размеры за счет компактного TO202 корпуса

Минусы:

  • Высокое энергетическое сопротивление (Ron) Darlington-транзистора
  • Высокие значения тока и мощности могут привести к перегреву

Общее назначение:

  • Усиление тока в различных электронных схемах
  • Управление нагрузками при высоких токах
  • Использование в источниках питания

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Источники питания
  • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики NTE266

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 500µA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40000 @ 200mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    1.33 W
  • Трансформация частоты
    75MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-202 Long Tab
  • Исполнение корпуса
    TO-202

Техническая документация

 NTE266.pdf
pdf. 0 kb
  • 6 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    691 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics
  • Артикул:
    NTE266
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO202Все характеристики

Минимальная цена NTE266 при покупке от 1 шт 691.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE266 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE266

NTE266 NTE Electronics TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO202 — это транзистор на базе Darlington-конфигурации (Дарлингтон), который используется для усиления тока. Вот основные параметры:

  • Номинальное напряжение между эмиттером и коллектиром (VCEO): 50В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 0,5А
  • Тип: NPN (непроводящий канал N)
  • Монтаж: TO202

Плюсы:

  • Высокий коэффициент усиления благодаря Darlington-конфигурации
  • Устойчивость к помехам благодаря использованию Darlington-конфигурации
  • Малые размеры за счет компактного TO202 корпуса

Минусы:

  • Высокое энергетическое сопротивление (Ron) Darlington-транзистора
  • Высокие значения тока и мощности могут привести к перегреву

Общее назначение:

  • Усиление тока в различных электронных схемах
  • Управление нагрузками при высоких токах
  • Использование в источниках питания

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Источники питания
  • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики NTE266

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 500µA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40000 @ 200mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    1.33 W
  • Трансформация частоты
    75MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-202 Long Tab
  • Исполнение корпуса
    TO-202

Техническая документация

 NTE266.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SMBT1565LT1GHI VOLT NPN SOT-23 TRANS
    7.5Кешбэк 1 балл
    SBC807-40LT3Транзистор: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTA114EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTC143EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    2SB926S-AASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    28Кешбэк 4 балла
    2SB926T-AASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    22.4Кешбэк 3 балла
    DTA124EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTA144EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTA123EТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTA114TТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    BUD43B-001SWITCHMODE NPN SILICON PLANAR PO
    99Кешбэк 14 баллов
    2SC3689-TB-ENPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
    99Кешбэк 14 баллов
    MMBC1654N7LT1SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    15Кешбэк 2 балла
    NSBA143TDXV6T5Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    13Кешбэк 1 балл
    DTA143EТранзистор: TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    SBCX19LT1TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    5.6Кешбэк 1 балл
    2SD826GSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    75Кешбэк 11 баллов
    2SA1709T-EPN-ANBIP PNP 2A 100V
    37Кешбэк 5 баллов
    MBT3906DW1T3Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    DTC114YТранзистор: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
    7.5Кешбэк 1 балл
    SSVPZTA92T1HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP
    71Кешбэк 10 баллов
    PZT2222AT1HТранзистор: SS SOT223 SW XSTR NPN 40V
    60Кешбэк 9 баллов
    DTC114TXV3T1Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    BCW68G-ONTRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
    13Кешбэк 1 балл
    BC558CRL1Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    SPS9607RLRMSS T092 GP XSTR PNP SPCL
    7.5Кешбэк 1 балл
    BC337-016TRANS NPN 45V 0.8A TO92
    13Кешбэк 1 балл
    BCW61BLT3SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.5Кешбэк 1 балл
    CPH3110-TL-EPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
    32Кешбэк 4 балла
    PZTA14T3SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    26Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП