Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
NTE306
  • В избранное
  • В сравнение
NTE306

NTE306

NTE306
;
NTE306

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE306
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 1.5A TO202Все характеристики

Минимальная цена NTE306 при покупке от 1 шт 1389.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE306 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE306

NTE306 NTE Electronics Inc TRANS NPN 50V 1.5A TO202 — это транзистор с ножовкой (NPN), предназначенный для применения в различных электронных устройствах. Основные параметры:

  • Тип транзистора: NPN
  • Номинальное напряжение между базой и коллектором (VCEO): 50В
  • Номинальный ток между коллектором и эмиттером (ICM): 1.5А
  • Монтаж: TO202

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Устойчивость к перегреву
  • Простота интеграции в схемы

Минусы:

  • Небольшой ток при высоком напряжении
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение: NTE306 используется для регулирования и усиления сигналов, а также для создания различных электронных схем, таких как усилители, драйверы и защитные цепи.

Применяется в:

  • Усилителях звука
  • Драйверах для моторов
  • Защитных цепях
  • Иllumination systems (системах освещения)
  • Автомобильной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики NTE306

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1.5 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 50mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    98 @ 100mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    950 mW
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-202 Long Tab
  • Исполнение корпуса
    TO-202

Техническая документация

 NTE306.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 389 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE306
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 1.5A TO202Все характеристики

Минимальная цена NTE306 при покупке от 1 шт 1389.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE306 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE306

NTE306 NTE Electronics Inc TRANS NPN 50V 1.5A TO202 — это транзистор с ножовкой (NPN), предназначенный для применения в различных электронных устройствах. Основные параметры:

  • Тип транзистора: NPN
  • Номинальное напряжение между базой и коллектором (VCEO): 50В
  • Номинальный ток между коллектором и эмиттером (ICM): 1.5А
  • Монтаж: TO202

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Устойчивость к перегреву
  • Простота интеграции в схемы

Минусы:

  • Небольшой ток при высоком напряжении
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение: NTE306 используется для регулирования и усиления сигналов, а также для создания различных электронных схем, таких как усилители, драйверы и защитные цепи.

Применяется в:

  • Усилителях звука
  • Драйверах для моторов
  • Защитных цепях
  • Иllumination systems (системах освещения)
  • Автомобильной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики NTE306

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1.5 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 50mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    98 @ 100mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    950 mW
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-202 Long Tab
  • Исполнение корпуса
    TO-202

Техническая документация

 NTE306.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BC807-40W-AU_R1_000A1TRANS PNP 45V 0.5A SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    BC817-16_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC856A_R1_00001TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC857A-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC857BW-AU_R1_000A1TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
    22.2Кешбэк 3 балла
    PBHV8110DA-AU_R1_000A1TRANS NPN 100V 1A SOT23
    48Кешбэк 7 баллов
    MMBTA05_R1_00001TRANS NPN 60V 0.5A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBTA55_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC848B-AU_R1_000A1TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC858C_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC847A-AU_R1_000A1TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC848B_R1_00001TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC856A-AU_R1_000A1TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC817-16-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC850C-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC846B_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC857A_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBT2907A-AU_R1_000A2TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    MMBTA56-AU_R1_000A1TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    2SC2411K_R1_00001TRANS NPN 32V 0.5A SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    PBHV8050SA_R1_00001TRANS NPN 500V 0.15A SOT23
    63Кешбэк 9 баллов
    MMBT5401-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS PNP 150V 0.6A SOT23
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BC817-25W-AU_R1_000A1TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC846A-AU_R1_000A1TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBTA06W_R1_00001TRANS NPN 80V 0.5A SOT323
    50Кешбэк 7 баллов
    BC846A_R1_00001TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    MMBT3906W_R1_00001TRANS PNP 40V 0.2A SOT323
    28Кешбэк 4 балла
    MMBTA05-AU_R1_000A1TRANS NPN 60V 0.5A SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    PBHV9110DA-AU_R1_000A1TRANS PNP 100V 1A SOT23
    59Кешбэк 8 баллов
    PBHV9110DA_R1_00001TRANS PNP 100V 1A SOT23
    69Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП