Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
NTE5322
  • В избранное
  • В сравнение
NTE5322

NTE5322

NTE5322
;
NTE5322

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE5322
  • Описание:
    R-SI BRIDGE 200V 25AВсе характеристики

Минимальная цена NTE5322 при покупке от 1 шт 657.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE5322 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE5322

NTE5322 NTE Electronics Inc R-SI BRIDGE 200V 25A — это полупроводниковый мост, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Рейтингный ток: 25А
    • Тип: Резистивно-силуминовый мост (R-SI)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перепадам напряжения
    • Долгий срок службы
    • Малые размеры и вес
  • Минусы:
    • Меньше эффективность по сравнению с ИБМ
    • Высокие потери при работе с высокими токами
  • Общее назначение:
    • Преобразование трехфазного напряжения в однофазное
    • Защита от перегрузок и короткого замыкания
    • Снижение гармонических составляющих напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Трансформаторы питания
    • Инверторы
    • Системы управления приводами
    • Электропитание промышленного оборудования
    • Автомобильные аккумуляторные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NTE5322

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    25 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    QC Terminal
  • Корпус
    4-Square

Техническая документация

 NTE5322.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    657 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE5322
  • Описание:
    R-SI BRIDGE 200V 25AВсе характеристики

Минимальная цена NTE5322 при покупке от 1 шт 657.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE5322 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTE5322

NTE5322 NTE Electronics Inc R-SI BRIDGE 200V 25A — это полупроводниковый мост, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Рейтингный ток: 25А
    • Тип: Резистивно-силуминовый мост (R-SI)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перепадам напряжения
    • Долгий срок службы
    • Малые размеры и вес
  • Минусы:
    • Меньше эффективность по сравнению с ИБМ
    • Высокие потери при работе с высокими токами
  • Общее назначение:
    • Преобразование трехфазного напряжения в однофазное
    • Защита от перегрузок и короткого замыкания
    • Снижение гармонических составляющих напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Трансформаторы питания
    • Инверторы
    • Системы управления приводами
    • Электропитание промышленного оборудования
    • Автомобильные аккумуляторные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NTE5322

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    25 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    QC Terminal
  • Корпус
    4-Square

Техническая документация

 NTE5322.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBS4M1PH BRIDGE 19X10X3.5 1000V 4A
    319Кешбэк 47 баллов
    GBS4J1PH BRIDGE 19X10X3.5 600V 4A
    295Кешбэк 44 балла
    GBJ3506BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBJ
    173Кешбэк 25 баллов
    KBPC5006FPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 600V 50A
    619Кешбэк 92 балла
    B125C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 250V 7A
    450Кешбэк 67 баллов
    B80C1500B1PH BRIDGE 19X10X3.5 160V 2.3A
    319Кешбэк 47 баллов
    KBJ2010_T0_00601KBJ PACKAGE, 20A/1000V STANDARD
    256Кешбэк 38 баллов
    RS2001MBRIDGE RECT GLASS 50V 20A RS-20M
    396Кешбэк 59 баллов
    VS-2KBB10RBRIDGE RECT 1P 100V 1.9A 2KBB
    382Кешбэк 57 баллов
    BR1510STD 15A, CASE TYPE: BR50
    322Кешбэк 48 баллов
    GBU6MP_T0_00101GBU-1, GENERAL
    245Кешбэк 36 баллов
    UG3KB60GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A D3K
    135Кешбэк 20 баллов
    GBI20JДиод: 1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 20A
    266Кешбэк 39 баллов
    CBRHD-06 TR13 PBFREEBRIDGE RECT 1P 600V 500MA HD DIP
    233Кешбэк 34 балла
    B80C1500A1PH BRIDGE 19X10X3.5 160V 2.3A
    204Кешбэк 30 баллов
    GBL410Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
    226Кешбэк 33 балла
    VS-2KBB20BRIDGE RECT 1P 200V 1.9A 2KBB
    395Кешбэк 59 баллов
    GBI10A1PH BRIDGE 30X20X3.6 50V 10A
    155Кешбэк 23 балла
    KBPC3512FP1PH BRIDGE KBPC 1200V 35A
    758Кешбэк 113 баллов
    VS-2KBB40BRIDGE RECT 1P 400V 1.9A 2KBB
    565Кешбэк 84 балла
    CBR6M-L080M TIN/LEADTHROUGH-HOLE-RECTIFIER-BR
    341Кешбэк 51 балл
    KBPC610BRIDGE RECT 1P 1KV 6A KBPC
    164Кешбэк 24 балла
    GBI20A1PH BRIDGE 30X20X3.6 50V 20A
    166Кешбэк 24 балла
    VS-2KBP08RECTIFIER BRIDGE 800V 2.0A D-44
    406Кешбэк 60 баллов
    B40C1500A1PH BRIDGE 19X10X3.5 80V 2.3A
    262Кешбэк 39 баллов
    GBI40K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 40A
    408Кешбэк 61 балл
    B250C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 3.7A
    426Кешбэк 63 балла
    GBI35G1PH BRIDGE 30X20X3.6 400V 35A
    245Кешбэк 36 баллов
    KBPC3508FP1PH BRIDGE KBPC 800V 35A
    647Кешбэк 97 баллов
    GBPC101010A -1000V - GBPC - BRIDGE
    189Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП