Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTGS1135PT1G

NTGS1135PT1G

NTGS1135PT1G
;
NTGS1135PT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTGS1135PT1G при покупке от 841 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTGS1135PT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTGS1135PT1G

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    8 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    31mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2200 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    970mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    NTGS11

Техническая документация

NTGS1135PT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 841 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTGS1135PT1G при покупке от 841 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTGS1135PT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTGS1135PT1G

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    8 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    31mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2200 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    970mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    NTGS11

Техническая документация

NTGS1135PT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 841 шт