NTH4L040N120SC1

Основные параметры:

• Тип транзистора: SICFET (карбид кремния полевой транзистор)
• Канальность: N-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 1200 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id): 58 А
• Тип корпуса: TO-247-4

Плюсы:

• Высокое напряжение пробоя (1200 В) позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) обеспечивает меньшие потери мощности и более высокую эффективность.
• Высокая скорость переключения благодаря свойствам карбида кремния, что снижает потери при переключении.
• Превосходные тепловые характеристики, позволяющие работать при более высоких температурах окружающей среды и повышающие надежность.
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою.
• Компактный корпус TO-247-4 обеспечивает хорошую теплоотдачу.

Минусы:

• Более высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Чувствительность к электростатическому разряду (ESD), требующая осторожности при обращении.
• Более сложное управление затвором по сравнению с кремниевыми аналогами (требуются специальные драйверы).

Общее назначение:

Данный SICFET предназначен для высокоэффективного преобразования энергии в высоковольтных и высокочастотных приложениях, где требуются минимальные потери мощности и высокая плотность мощности.

В каких устройствах применяется:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы для солнечной энергетики
• Зарядные устройства для электромобилей (EV/HEV)
• Промышленные приводы и двигатели
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Сварочное оборудование
• Высоковольтные DC/DC преобразователи
• Инверторы для ветрогенераторов