Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTH4L060N090SC1
  • В избранное
  • В сравнение
NTH4L060N090SC1

NTH4L060N090SC1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NTH4L060N090SC1
  • Описание:
    SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELВсе характеристики

Минимальная цена NTH4L060N090SC1 при покупке от 1 шт 1645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTH4L060N090SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTH4L060N090SC1

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    46A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    43mOhm @ 20A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    87 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1770 pF @ 450 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    221W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 NTH4L060N090SC1.pdf
pdf. 0 kb
  • 194 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 645 ₽
  • 5
    1 440 ₽
  • 10
    1 232 ₽
  • 50
    1 208 ₽
  • 100
    1 182 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NTH4L060N090SC1
  • Описание:
    SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELВсе характеристики

Минимальная цена NTH4L060N090SC1 при покупке от 1 шт 1645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTH4L060N090SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTH4L060N090SC1

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    46A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    43mOhm @ 20A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    87 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1770 pF @ 450 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    221W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 NTH4L060N090SC1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQ2389ES-T1_BE3MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
    178Кешбэк 26 баллов
    UPA2726UT1A-E1-AYMOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
    176Кешбэк 26 баллов
    DMP2120U-13MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 T&R 1
    63Кешбэк 9 баллов
    AUIRF1010ZLТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
    301Кешбэк 45 баллов
    IPN95R2K0P7ATMA1MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
    222Кешбэк 33 балла
    SSM3J356R,LXHFAECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
    91Кешбэк 13 баллов
    STF5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
    455Кешбэк 68 баллов
    IPB65R110CFD7ATMA1HIGH POWER_NEW
    865Кешбэк 129 баллов
    SQR40020ER_GE3MOSFET N-CH 40V 100A TO252 REV
    503Кешбэк 75 баллов
    IPB60R099P7ATMA1MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK
    797Кешбэк 119 баллов
    HAT1142R02-EL-EP-CHANNEL POWER MOSFET
    120Кешбэк 18 баллов
    FDD6670A_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    235Кешбэк 35 баллов
    G2R50MT33K3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
    54 678Кешбэк 8 201 балл
    XPH6R30ANB,L1XHQMOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
    362Кешбэк 54 балла
    RJK6012DPP-K0#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    608Кешбэк 91 балл
    RQ3E075ATTBMOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
    263Кешбэк 39 баллов
    NVBLS1D1N08HMOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
    1 516Кешбэк 227 баллов
    PMPB08R5XNXPMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
    178Кешбэк 26 баллов
    DMN2990UFO-7BMOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
    109Кешбэк 16 баллов
    2SK1582-T1B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    61Кешбэк 9 баллов
    N0300N-T1B-ATMOSFET N-CH 30V 4.5A SC96-3
    50Кешбэк 7 баллов
    IPA60R060P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220
    888Кешбэк 133 балла
    RD3P08BBDTLMOSFET N-CH 100V 80A TO252
    451Кешбэк 67 баллов
    DMN53D0LQ-13MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    RJK0381DPA-WS#J53N-CHANNEL POWER MOSFET
    257Кешбэк 38 баллов
    TW030N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
    7 044Кешбэк 1 056 баллов
    SCT10N120AGSICFET N-CH 1200V 12A HIP247
    1 701Кешбэк 255 баллов
    TK110E10PL,S1XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    372Кешбэк 55 баллов
    BB503CCS-TL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    H5N2512FN-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    638Кешбэк 95 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП