Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTHD2102PT1

NTHD2102PT1

NTHD2102PT1
;
NTHD2102PT1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTHD2102PT1 при покупке от 53 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTHD2102PT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTHD2102PT1

  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    8V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    58mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 2.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    715pF @ 6.4V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    ChipFET™
  • Base Product Number
    NTHD21

Техническая документация

NTHD2102PT1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 53 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTHD2102PT1 при покупке от 53 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTHD2102PT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTHD2102PT1

  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    8V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    58mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 2.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    715pF @ 6.4V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    ChipFET™
  • Base Product Number
    NTHD21

Техническая документация

NTHD2102PT1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 53 шт