Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
NTHD3102CT1G
NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTHD3102CT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206AВсе характеристики

Минимальная цена NTHD3102CT1G при покупке от 1 шт 293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTHD3102CT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTHD3102CT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A, 3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.9nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    ChipFET™
  • Base Product Number
    NTHD3102

Техническая документация

 NTHD3102CT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    293 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTHD3102CT1G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206AВсе характеристики

Минимальная цена NTHD3102CT1G при покупке от 1 шт 293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTHD3102CT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTHD3102CT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A, 3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.9nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    ChipFET™
  • Base Product Number
    NTHD3102

Техническая документация

 NTHD3102CT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AO7800Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
    19Кешбэк 2 балла
    DMC2990UDJ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT963
    103Кешбэк 15 баллов
    DMN6070SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
    115Кешбэк 17 баллов
    DMN53D0LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    55Кешбэк 8 баллов
    IRF9395MTRPBFТранзистор: DIRECTFET DUAL P-CHANNEL POWER M
    251Кешбэк 37 баллов
    BSC0910NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
    305Кешбэк 45 баллов
    BUK7K12-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK
    427Кешбэк 64 балла
    PMDPB95XNE2XТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
    115Кешбэк 17 баллов
    ALD1101PALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    1 816Кешбэк 272 балла
    2N7002BKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
    52Кешбэк 7 баллов
    FDG6332CТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
    58Кешбэк 8 баллов
    ECH8661-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8
    246Кешбэк 36 баллов
    NVTJD4001NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
    76Кешбэк 11 баллов
    CSD75301W1015Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
    214Кешбэк 32 балла
    FDMA1029PZТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
    176Кешбэк 26 баллов
    DMN4026SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
    150Кешбэк 22 балла
    SI7212DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
    477Кешбэк 71 балл
    SI7913DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
    530Кешбэк 79 баллов
    ALD114904SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 170Кешбэк 175 баллов
    NX3020NAKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    TC6320TG-GТранзистор: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
    334Кешбэк 50 баллов
    TC8020K6-GТранзистор: MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
    2 029Кешбэк 304 балла
    STS5DNF60LТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC
    340Кешбэк 51 балл
    NTHD4401PT3GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
    54Кешбэк 8 баллов
    PMDT290UCE,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT666
    98Кешбэк 14 баллов
    DMG4800LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
    150Кешбэк 22 балла
    IPG16N10S461ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
    342Кешбэк 51 балл
    ZXMC10A816N8TCТранзистор: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
    286Кешбэк 42 балла
    MCH6626-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    26Кешбэк 3 балла
    NTGD3148NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
    150Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП