Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTHL099N60S5
  • В избранное
  • В сравнение
NTHL099N60S5

NTHL099N60S5

NTHL099N60S5
;
NTHL099N60S5

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTHL099N60S5
  • Описание:
    NTHL099N60S5Все характеристики

Минимальная цена NTHL099N60S5 при покупке от 1 шт 1118.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTHL099N60S5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTHL099N60S5

NTHL099N60S5 — это полупроводниковый элемент, конкретно полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства ON Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 600 В
    • Максимальная токовая способность: 99 А
    • Тип: N-канальный
    • Технология: SiC (silicon carbide)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малый размер и вес
    • Устойчивость к тепловым нагрузкам
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требует специфического проектирования и обработки
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах
    • Контроль потребления энергии
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи и регуляторы напряжения
    • Системы снабжения электроэнергией
    • Бытовые приборы с высокой степенью автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики NTHL099N60S5

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    33A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99mOhm @ 13.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 2.8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2500 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    184W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 NTHL099N60S5.pdf
pdf. 0 kb
  • 207 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 118 ₽
  • 10
    858 ₽
  • 30
    781 ₽
  • 120
    713 ₽
  • 270
    684 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTHL099N60S5
  • Описание:
    NTHL099N60S5Все характеристики

Минимальная цена NTHL099N60S5 при покупке от 1 шт 1118.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTHL099N60S5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTHL099N60S5

NTHL099N60S5 — это полупроводниковый элемент, конкретно полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства ON Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 600 В
    • Максимальная токовая способность: 99 А
    • Тип: N-канальный
    • Технология: SiC (silicon carbide)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малый размер и вес
    • Устойчивость к тепловым нагрузкам
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требует специфического проектирования и обработки
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах
    • Контроль потребления энергии
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи и регуляторы напряжения
    • Системы снабжения электроэнергией
    • Бытовые приборы с высокой степенью автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики NTHL099N60S5

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    33A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99mOhm @ 13.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 2.8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2500 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    184W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 NTHL099N60S5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AON7422GMOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN
    136Кешбэк 20 баллов
    AOSP32368MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
    153Кешбэк 22 балла
    AON6314MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
    149Кешбэк 22 балла
    AONS21357MOSFET P-CH 30V 21A/36A 8DFN
    132Кешбэк 19 баллов
    AON6226MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
    168Кешбэк 25 баллов
    AONS32304MOSFET N-CH 30V 40A/140A 8DFN
    153Кешбэк 22 балла
    AO4262EMOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO
    147Кешбэк 22 балла
    AOD2610EMOSFET N-CH 60V 46A TO252
    76Кешбэк 11 баллов
    AO4290AMOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
    189Кешбэк 28 баллов
    AON6366EMOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN
    197Кешбэк 29 баллов
    AOSP21321MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
    52Кешбэк 7 баллов
    AON6312Транзистор: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
    170Кешбэк 25 баллов
    AOI296AMOSFET N-CH 100V 70A TO251A
    175Кешбэк 26 баллов
    AOSS62934MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    AO4292EMOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC
    167Кешбэк 25 баллов
    AO4264EMOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
    150Кешбэк 22 балла
    AOL1454GMOSFET N-CH 40V 25A/46A ULTRASO8
    153Кешбэк 22 балла
    AOTF292LMOSFET N-CH 100V 70A TO220F
    623Кешбэк 93 балла
    AON6144MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
    133Кешбэк 19 баллов
    AOB66616LMOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
    191Кешбэк 28 баллов
    AON6276MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
    283Кешбэк 42 балла
    AON7230MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN
    179Кешбэк 26 баллов
    AON6380MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN
    153Кешбэк 22 балла
    AO4268MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC
    150Кешбэк 22 балла
    AOB2904MOSFET N-CH 100V 120A TO263
    283Кешбэк 42 балла
    AON7262EMOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN
    137Кешбэк 20 баллов
    AOT66616LMOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220
    314Кешбэк 47 баллов
    AOB190A60LMOSFET N-CH 600V 20A TO263
    517Кешбэк 77 баллов
    C3M0120100JSICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
    2 243Кешбэк 336 баллов
    C3M0040120D1200V 40MOHM SIC MOSFET
    3 106Кешбэк 465 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП