Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTHL160N120SC1
  • В избранное
  • В сравнение
NTHL160N120SC1

NTHL160N120SC1

NTHL160N120SC1
;
NTHL160N120SC1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTHL160N120SC1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена NTHL160N120SC1 при покупке от 1 шт 1104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTHL160N120SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTHL160N120SC1

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Название продукта: SICFET N-канальный 1200В 17А TO247-3
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: Н-канальный СIC-диод
      • Рейтинг напряжения: 1200В
      • Рейтинг тока: 17А
      • Форм-фактор: TO247-3
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Устойчивость к перегреву
      • Эффективное управление током
      • Малый размер и легкость монтажа
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
      • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Общее назначение:
      • Использование в промышленных и бытовых электронасосах
      • Применение в системах управления двигателей
      • Работа в источниках питания
      • Использование в инверторах
Выбрано: Показать

Характеристики NTHL160N120SC1

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    224mOhm @ 12A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    665 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    119W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    NTHL160

Техническая документация

 NTHL160N120SC1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1040 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 104 ₽
  • 10
    858 ₽
  • 120
    830 ₽
  • 2520
    793 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTHL160N120SC1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена NTHL160N120SC1 при покупке от 1 шт 1104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTHL160N120SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTHL160N120SC1

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Название продукта: SICFET N-канальный 1200В 17А TO247-3
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: Н-канальный СIC-диод
      • Рейтинг напряжения: 1200В
      • Рейтинг тока: 17А
      • Форм-фактор: TO247-3
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Устойчивость к перегреву
      • Эффективное управление током
      • Малый размер и легкость монтажа
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
      • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Общее назначение:
      • Использование в промышленных и бытовых электронасосах
      • Применение в системах управления двигателей
      • Работа в источниках питания
      • Использование в инверторах
Выбрано: Показать

Характеристики NTHL160N120SC1

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    224mOhm @ 12A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    665 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    119W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    NTHL160

Техническая документация

 NTHL160N120SC1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3407DV-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
    48Кешбэк 7 баллов
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    RJK03K6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    CPH6614-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    FDC021N30MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK1399-T2B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    ISS55EP06LMXTSA1MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    3SK323UG-TL-EТранзистор: N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    2SK1589-T1B-ATSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    FDA20N50MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    673Кешбэк 100 баллов
    SI3460DDV-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    122Кешбэк 18 баллов
    MTB10N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    SI3430DV-T1-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    332Кешбэк 49 баллов
    IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    SQJ464EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
    282Кешбэк 42 балла
    IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    HUF76121D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    119Кешбэк 17 баллов
    MTP5P25P-CHANNEL POWER MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    SIA483ADJ-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
    489Кешбэк 73 балла
    STL9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
    285Кешбэк 42 балла
    TBB1010KMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    IPP60R950C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
    122Кешбэк 18 баллов
    SPB80N03S2L0580A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП