Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G
;
NTMD6601NR2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTMD6601NR2G при покупке от 429 шт 130.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMD6601NR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G onsemi Транзистор: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 80В
    • Номинальный ток вдоль канала: 1.1А
    • Количество выводов: 8 (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток при срабатывании
    • Малые размеры и вес благодаря использованию SOIC
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Поддержка высокочастотных операций
    • Регулировка напряжений и токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Мощные источники питания
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NTMD6601NR2G

Техническая документация

NTMD6601NR2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 59844 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 429 шт
  • Количество
    Цена
  • 429
    130 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTMD6601NR2G при покупке от 429 шт 130.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMD6601NR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G onsemi Транзистор: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 80В
    • Номинальный ток вдоль канала: 1.1А
    • Количество выводов: 8 (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток при срабатывании
    • Малые размеры и вес благодаря использованию SOIC
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Поддержка высокочастотных операций
    • Регулировка напряжений и токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Мощные источники питания
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики NTMD6601NR2G

Техническая документация

NTMD6601NR2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 429 шт