Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G
;
NTMD6N04R2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTMD6N04R2G при покупке от 41 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMD6N04R2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G ON Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 40 В
    • Номинальный ток проводимости (ID): 4.6 А
    • Количество пинов: 8
    • Формат пакета: SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая conductance в режиме нахождения в ON
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Долгий срок службы из-за стабильности характеристик при длительной эксплуатации
    • Устойчивость к электрическому шуму и помехам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с переходами между режимами ON и OFF при быстром управлении
  • Общее назначение:
    • Регулировка тока в электрических цепях
    • Изменение сопротивления в зависимости от входного сигнала
    • Использование в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Инверторах для преобразования напряжения
    • Питательных системах для компьютеров и серверов
    • Системах управления промышленными двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики NTMD6N04R2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34mOhm @ 5.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    900pF @ 32V
  • Рассеивание мощности
    1.29W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    NTMD6N

Техническая документация

NTMD6N04R2G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 41 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTMD6N04R2G при покупке от 41 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMD6N04R2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G ON Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 40 В
    • Номинальный ток проводимости (ID): 4.6 А
    • Количество пинов: 8
    • Формат пакета: SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая conductance в режиме нахождения в ON
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Долгий срок службы из-за стабильности характеристик при длительной эксплуатации
    • Устойчивость к электрическому шуму и помехам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с переходами между режимами ON и OFF при быстром управлении
  • Общее назначение:
    • Регулировка тока в электрических цепях
    • Изменение сопротивления в зависимости от входного сигнала
    • Использование в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Инверторах для преобразования напряжения
    • Питательных системах для компьютеров и серверов
    • Системах управления промышленными двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики NTMD6N04R2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34mOhm @ 5.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    900pF @ 32V
  • Рассеивание мощности
    1.29W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    NTMD6N

Техническая документация

NTMD6N04R2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 41 шт