Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTMFD4C87NT1G

NTMFD4C87NT1G

NTMFD4C87NT1G
;
NTMFD4C87NT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTMFD4C87NT1G при покупке от 138 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFD4C87NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFD4C87NT1G

NTMFD4C87NT1G onsemi MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Количество каналов: 2N-CH (двухканальный)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Пакет: 8DFN (8-пиновый поверхностнодействующий пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент включения и выключения
    • Высокая надежность
    • Малый размер и вес благодаря поверхностнодействующему пакету
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с биполярными транзисторами
    • Неустойчивость к электрическим ионам при неправильной обработке
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения и тока
    • Переключение высоких токов и напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFD4C87NT1G

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.7A, 14.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1252pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6)
  • Base Product Number
    NTMFD4

Техническая документация

NTMFD4C87NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 138 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTMFD4C87NT1G при покупке от 138 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFD4C87NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFD4C87NT1G

NTMFD4C87NT1G onsemi MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Количество каналов: 2N-CH (двухканальный)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Пакет: 8DFN (8-пиновый поверхностнодействующий пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент включения и выключения
    • Высокая надежность
    • Малый размер и вес благодаря поверхностнодействующему пакету
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с биполярными транзисторами
    • Неустойчивость к электрическим ионам при неправильной обработке
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения и тока
    • Переключение высоких токов и напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFD4C87NT1G

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.7A, 14.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1252pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6)
  • Base Product Number
    NTMFD4

Техническая документация

NTMFD4C87NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 138 шт