Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NTMFS4C13NT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NTMFS4C13NT1G

NTMFS4C13NT1G

NTMFS4C13NT1G
;
NTMFS4C13NT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS4C13NT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 7.2A/38A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS4C13NT1G при покупке от 1 шт 139.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS4C13NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS4C13NT1G

NTMFS4C13NT1G — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) с неблокируемым каналом N-типа. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение питания (VDS(max)): 30 В
  • Номинальный ток (ID(on)): 7,2 А
  • Размеры пакета: 5DFN
  • Питание: 38 А

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малые токи утечки
  • Устойчивость к электрическим шумам
  • Низкий коэффициент теплового сопротивления

Минусы:

  • Требуется дополнительная защита от перегрева
  • Необходимо учитывать ограничения по рабочему току при высоких температурах

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, требующих точного регулирования напряжения или тока.

Применяется в:

  • Блоках питания
  • Инверторах
  • Стабилизаторах напряжения
  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS4C13NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.2A (Ta), 38A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.1mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    770 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS4

Техническая документация

 NTMFS4C13NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 71 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    139 ₽
  • 100
    74 ₽
  • 1500
    48 ₽
  • 4500
    38 ₽
  • 10500
    37 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS4C13NT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 7.2A/38A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS4C13NT1G при покупке от 1 шт 139.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS4C13NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS4C13NT1G

NTMFS4C13NT1G — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) с неблокируемым каналом N-типа. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение питания (VDS(max)): 30 В
  • Номинальный ток (ID(on)): 7,2 А
  • Размеры пакета: 5DFN
  • Питание: 38 А

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малые токи утечки
  • Устойчивость к электрическим шумам
  • Низкий коэффициент теплового сопротивления

Минусы:

  • Требуется дополнительная защита от перегрева
  • Необходимо учитывать ограничения по рабочему току при высоких температурах

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, требующих точного регулирования напряжения или тока.

Применяется в:

  • Блоках питания
  • Инверторах
  • Стабилизаторах напряжения
  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS4C13NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.2A (Ta), 38A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.1mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    770 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS4

Техническая документация

 NTMFS4C13NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FQI10N60CTUMOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
    246Кешбэк 36 баллов
    FDMS2510SDCMOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56
    246Кешбэк 36 баллов
    FQU3P20TUMOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    FDMS8690MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
    248Кешбэк 37 баллов
    FQI50N06LTUMOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
    248Кешбэк 37 баллов
    HUF75831SK8TMOSFET N-CH 150V 3A 8SOIC
    248Кешбэк 37 баллов
    HUFA75343G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    248Кешбэк 37 баллов
    FDMS2508SDCMOSFET N-CH 25V 34A/49A DLCOOL56
    250Кешбэк 37 баллов
    HUFA75842P3MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    250Кешбэк 37 баллов
    HUF75545S3MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
    250Кешбэк 37 баллов
    HUFA75344S3MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
    254Кешбэк 38 баллов
    FDD2570MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
    256Кешбэк 38 баллов
    FDPF7N50UMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    258Кешбэк 38 баллов
    FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
    258Кешбэк 38 баллов
    FDW258PMOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    HUFA76445S3SMOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    259Кешбэк 38 баллов
    FQB25N33TMMOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов
    FDMS0308CSMOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN
    261Кешбэк 39 баллов
    FQB8N60CFTMMOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов
    FCU850N80ZMOSFET N-CH 800V 6A IPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
    267Кешбэк 40 баллов
    FDP13AN06A0MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
    267Кешбэк 40 баллов
    FDP120AN15A0MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
    267Кешбэк 40 баллов
    FQAF17P10MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
    267Кешбэк 40 баллов
    HUFA75842S3SMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    267Кешбэк 40 баллов
    FQPF9N50CMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
    269Кешбэк 40 баллов
    FDP5690MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
    269Кешбэк 40 баллов
    FDW264PMOSFET P-CH 20V 9.7A 8TSSOP
    269Кешбэк 40 баллов
    FCI11N60
    272Кешбэк 40 баллов
    HUFA76437S3STMOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
    272Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП