Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G
;
NTMFS6B14NT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTMFS6B14NT1G при покупке от 12 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS6B14NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G на семейство MOSFET:

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Размеры пакета: 5DFN (0.8x1.0x0.45 мм)
    • Разрядная способность: 10А (100В), 50А (20В)
  • Плюсы:
    • Высокая разрядная способность
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малое энергопотребление
  • Минусы:
    • Низкая термическая стабильность без дополнительного охлаждения
    • Высокие затраты на производство по сравнению с транзисторами других типов
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения в системах питания
    • Переключение высоковольтных цепей
  • Применение в устройствах:
    • Системы питания электроники
    • Автомобильные системы управления
    • Инверторы и преобразователи
    • Драйверы для моторов
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS6B14NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 77W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS6

Техническая документация

NTMFS6B14NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 12 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTMFS6B14NT1G при покупке от 12 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS6B14NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G на семейство MOSFET:

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Размеры пакета: 5DFN (0.8x1.0x0.45 мм)
    • Разрядная способность: 10А (100В), 50А (20В)
  • Плюсы:
    • Высокая разрядная способность
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малое энергопотребление
  • Минусы:
    • Низкая термическая стабильность без дополнительного охлаждения
    • Высокие затраты на производство по сравнению с транзисторами других типов
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения в системах питания
    • Переключение высоковольтных цепей
  • Применение в устройствах:
    • Системы питания электроники
    • Автомобильные системы управления
    • Инверторы и преобразователи
    • Драйверы для моторов
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS6B14NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 77W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS6

Техническая документация

NTMFS6B14NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 12 шт