Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NTMFS6B14NT1G
NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS6B14NT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 10A/50A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS6B14NT1G при покупке от 1 шт 488.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS6B14NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS6B14NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 77W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS6
Техническая документация
 NTMFS6B14NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 40261 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    488 ₽
  • 190
    302 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS6B14NT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 10A/50A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS6B14NT1G при покупке от 1 шт 488.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS6B14NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS6B14NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 77W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS6
Техническая документация
 NTMFS6B14NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9511-55A,127MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    IRFH7787TRPBFMOSFET N-CH 75V 68A PQFN
    ZXMN10A25KTCMOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
    IPB65R150CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
    NTTS2P03R2MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
    IRFS4620TRLPBFMOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
    FCPF067N65S3MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
    SCH1343-TL-HMOSFET P-CH 20V 3.5A 6SCH
    STP100N10F7MOSFET N CH 100V 80A TO-220
    IXFH50N30Q3MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD
    FDMS8570S28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
    STP2N105K5MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
    IXFH12N100PMOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
    IRF730PBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    FDMS86320MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
    NTMFS4921NT1GMOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
    NVF2955T1GMOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
    SIHH11N65EF-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
    FCP16N60MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3
    STW18NM60NMOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
    APT30M85BVRGТранзистор: MOSFET N-CH 300V 40A TO247
    IRF510STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    PSMN017-30PL,127MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB
    STP9NK60ZMOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
    CSD18533Q5ATТранзистор: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
    IPA60R180C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
    NX3008PBKMB,315MOSFET P-CH 30V 300MA DFN1006B-3
    IRFS7730TRLPBFMOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
    STU6NF10MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
    IRFR224TRPBFMOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП