Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTMFS6H818NT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NTMFS6H818NT1G

NTMFS6H818NT1G

NTMFS6H818NT1G
;
NTMFS6H818NT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS6H818NT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS6H818NT1G при покупке от 1 шт 467.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS6H818NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS6H818NT1G

Маркировка NTMFS6H818NT1G от производителя ON Semiconductor описывает MOSFET N-канальный с номинальным напряжением включенного состояния 80В, способный переносить ток до 20А при частоте 123кГц в пакете 5DFN.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного состояния (VGS(th)): 2.7-6.0В
    • Ток пропускания (ID(on)): 20А
    • Частота включения/выключения (fT): 123кГц
    • Пакет: 5DFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения (низкое время перехода)
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и вес из-за компактного пакета 5DFN
    • Низкий уровень шума и помех
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимость использования управляющего напряжения для включения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в схемах управления двигателей
    • Реализация цифровых преобразователей
    • Подключение и управление нагрузками в различных электронных устройствах
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобилях
    • Компьютерах и ноутбуках
    • Электронасосах и электродвигателях
    • Умных домах и IoT устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS6H818NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta), 123A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 190µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3100 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS6

Техническая документация

 NTMFS6H818NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2895 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    467 ₽
  • 10
    309 ₽
  • 100
    211 ₽
  • 500
    170 ₽
  • 3000
    141 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS6H818NT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS6H818NT1G при покупке от 1 шт 467.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS6H818NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMFS6H818NT1G

Маркировка NTMFS6H818NT1G от производителя ON Semiconductor описывает MOSFET N-канальный с номинальным напряжением включенного состояния 80В, способный переносить ток до 20А при частоте 123кГц в пакете 5DFN.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного состояния (VGS(th)): 2.7-6.0В
    • Ток пропускания (ID(on)): 20А
    • Частота включения/выключения (fT): 123кГц
    • Пакет: 5DFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения (низкое время перехода)
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и вес из-за компактного пакета 5DFN
    • Низкий уровень шума и помех
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимость использования управляющего напряжения для включения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в схемах управления двигателей
    • Реализация цифровых преобразователей
    • Подключение и управление нагрузками в различных электронных устройствах
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобилях
    • Компьютерах и ноутбуках
    • Электронасосах и электродвигателях
    • Умных домах и IoT устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS6H818NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta), 123A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 190µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3100 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS6

Техническая документация

 NTMFS6H818NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMFS6H818NT1GMOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
    466Кешбэк 69 баллов
    NTTFS015N04CTAGMOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
    109Кешбэк 16 баллов
    NVMTS1D1N04CTXGT6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
    1 536Кешбэк 230 баллов
    2SK1421N-CHANNEL POWER MOSFET
    391Кешбэк 58 баллов
    NVD5C454NLT4GMOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    NVMYS2D4N04CTWGMOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
    355Кешбэк 53 балла
    FDBL86210-F085MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
    1 022Кешбэк 153 балла
    NTMFS022N15MCPOWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
    529Кешбэк 79 баллов
    UF3C065080B7SSICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
    2 256Кешбэк 338 баллов
    NVTFS5C680NLWFTAGMOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
    257Кешбэк 38 баллов
    NVTFS6H888NTAGMOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
    170Кешбэк 25 баллов
    UJ4C075033K4S750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
    2 973Кешбэк 445 баллов
    NTMYS4D1N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
    441Кешбэк 66 баллов
    NTMFSC004N08MCMOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
    607Кешбэк 91 балл
    NTMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    NVMYS3D5N04CTWGMOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
    350Кешбэк 52 балла
    STDV3055L104T4GMOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    192Кешбэк 28 баллов
    NTMT095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 583Кешбэк 237 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NTLJS17D0P03P8ZTAGMOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
    172Кешбэк 25 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    844Кешбэк 126 баллов
    NVMYS4D6N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFSC0D9N04CMOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
    1 031Кешбэк 154 балла
    NTMFS5113PLT1GNFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
    561Кешбэк 84 балла
    NTMFS5H630NLT1GMOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
    352Кешбэк 52 балла
    NTMT150N65S3HFPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 127Кешбэк 169 баллов
    UF3C120150B7S1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
    2 125Кешбэк 318 баллов
    NVTFS014P04M8LTAGMOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
    226Кешбэк 33 балла
    NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    272Кешбэк 40 баллов
    NVMFS5C682NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    333Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Симисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП