Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTMFS6H836NLT1G

NTMFS6H836NLT1G

NTMFS6H836NLT1G
;
NTMFS6H836NLT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTMFS6H836NLT1G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS6H836NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS6H836NLT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Ta), 77A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 95µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 89W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS6

Техническая документация

NTMFS6H836NLT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTMFS6H836NLT1G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS6H836NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS6H836NLT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Ta), 77A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 95µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 89W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS6

Техническая документация

NTMFS6H836NLT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории