Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTMJS1D4N06CLTWG
  • В избранное
  • В сравнение
NTMJS1D4N06CLTWG

NTMJS1D4N06CLTWG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMJS1D4N06CLTWG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAKВсе характеристики

Минимальная цена NTMJS1D4N06CLTWG при покупке от 1 шт 581.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMJS1D4N06CLTWG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTMJS1D4N06CLTWG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    39A (Ta), 262A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 280µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    103 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7430 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4W (Ta), 180W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-LFPAK
  • Корпус
    SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Base Product Number
    NTMJS1

Техническая документация

 NTMJS1D4N06CLTWG.pdf
pdf. 0 kb
  • 1570 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    581 ₽
  • 10
    457 ₽
  • 100
    316 ₽
  • 500
    314 ₽
  • 3000
    182 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMJS1D4N06CLTWG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAKВсе характеристики

Минимальная цена NTMJS1D4N06CLTWG при покупке от 1 шт 581.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMJS1D4N06CLTWG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTMJS1D4N06CLTWG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    39A (Ta), 262A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 280µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    103 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7430 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4W (Ta), 180W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-LFPAK
  • Корпус
    SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Base Product Number
    NTMJS1

Техническая документация

 NTMJS1D4N06CLTWG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP3018SFV-13MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
    155Кешбэк 23 балла
    STW70N60DM6MOSFET N-CH 600V 62A TO247
    2 310Кешбэк 346 баллов
    TK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
    991Кешбэк 148 баллов
    APT1201R2BFLLGMOSFET N-CH 1200V 12A TO247
    4 975Кешбэк 746 баллов
    TSM13ND50CIMOSFET N-CH 500V 13A ITO220
    845Кешбэк 126 баллов
    IPW65R075CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
    1 357Кешбэк 203 балла
    BSZ019N03LSATMA1MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
    362Кешбэк 54 балла
    TSM60NB190CZ C0GТранзистор: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
    939Кешбэк 140 баллов
    RQ3P300BHTB1NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
    551Кешбэк 82 балла
    VN10KC-T1SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    68Кешбэк 10 баллов
    AON6152AMOSFET N-CH 45V 58A/100A 8DFN
    631Кешбэк 94 балла
    NVTFS004N04CTAGMOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
    374Кешбэк 56 баллов
    PJA3463_R1_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    83Кешбэк 12 баллов
    IPP60R099P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
    773Кешбэк 115 баллов
    FDP2D3N10CN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
    1 402Кешбэк 210 баллов
    FQU2N50BTU-WSMOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
    63Кешбэк 9 баллов
    RS1P600BHTB1NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
    673Кешбэк 100 баллов
    SIR178DP-T1-RE3MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
    392Кешбэк 58 баллов
    IPW60R160P6POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    690Кешбэк 103 балла
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    405Кешбэк 60 баллов
    IPW60R125CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
    891Кешбэк 133 балла
    DMP31D7L-13MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
    54Кешбэк 8 баллов
    2SJ356(0)-T1-AZP-CHANNEL POWER MOSFET
    126Кешбэк 18 баллов
    RJK03M0DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    351Кешбэк 52 балла
    XPN12006NC,L1XHQMOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
    327Кешбэк 49 баллов
    DMP4006SPSWQ-13MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
    399Кешбэк 59 баллов
    IXFQ120N25X3MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
    2 571Кешбэк 385 баллов
    IPD135N08N3GATMA1MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
    311Кешбэк 46 баллов
    IPSA70R2K0P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
    70Кешбэк 10 баллов
    AOSP32320CMOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
    148Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП