Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTMS4705NR2G

NTMS4705NR2G

NTMS4705NR2G
;
NTMS4705NR2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTMS4705NR2G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMS4705NR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMS4705NR2G

NTMS4705NR2G onsemi MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 7.4А
    • Количество выводов: 8
    • Формат пакета: SOIC (8)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении ресистивного канала
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер и легкость установки
    • Экономичность и надежность
  • Минусы:
    • Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева
    • Могут быть проблемы с шумом и электромагнитной совместимостью при высокой частоте работы
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
    • Регулировка напряжения в системах управления
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления двигателем
    • Мобильных устройствах
    • Промышленном оборудовании
    • Приборах измерений
Выбрано: Показать

Характеристики NTMS4705NR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1078 pF @ 24 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    850mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    NTMS47

Техническая документация

NTMS4705NR2G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTMS4705NR2G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMS4705NR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTMS4705NR2G

NTMS4705NR2G onsemi MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 7.4А
    • Количество выводов: 8
    • Формат пакета: SOIC (8)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении ресистивного канала
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер и легкость установки
    • Экономичность и надежность
  • Минусы:
    • Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева
    • Могут быть проблемы с шумом и электромагнитной совместимостью при высокой частоте работы
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
    • Регулировка напряжения в системах управления
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления двигателем
    • Мобильных устройствах
    • Промышленном оборудовании
    • Приборах измерений
Выбрано: Показать

Характеристики NTMS4705NR2G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1078 pF @ 24 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    850mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    NTMS47

Техническая документация

NTMS4705NR2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории