Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G
;
NTNS3A65PZT5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTNS3A65PZT5G при покупке от 3245 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTNS3A65PZT5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G onsemi MOSFET P-CH 20V 281mA SOT883

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (полупроводниковый транзистор с полем)
    • Тип поля: P-канальный
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Разрядный ток (ID(on)): 281мА
    • Пакет: SOT883
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Малое тепловыделение
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота применения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Не подходит для работы при очень высоких температурах без дополнительного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление током
    • Контроль потребления энергии в системах управления
    • Регулирование напряжения в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и блоки питания
    • Системы управления двигателей
    • Различные контроллеры и микроконтроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики NTNS3A65PZT5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    281mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    44 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    155mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    NTNS3

Техническая документация

NTNS3A65PZT5G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 3245 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTNS3A65PZT5G при покупке от 3245 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTNS3A65PZT5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G onsemi MOSFET P-CH 20V 281mA SOT883

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (полупроводниковый транзистор с полем)
    • Тип поля: P-канальный
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Разрядный ток (ID(on)): 281мА
    • Пакет: SOT883
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Малое тепловыделение
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота применения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Не подходит для работы при очень высоких температурах без дополнительного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление током
    • Контроль потребления энергии в системах управления
    • Регулирование напряжения в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и блоки питания
    • Системы управления двигателей
    • Различные контроллеры и микроконтроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики NTNS3A65PZT5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    281mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    44 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    155mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    NTNS3

Техническая документация

NTNS3A65PZT5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3245 шт