Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

NTP360N80S3Z

NTP360N80S3Z

NTP360N80S3Z

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
ONSEMI
Артикул:
NTP360N80S3Z
Описание:
MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена NTP360N80S3Z при покупке от 1 шт 708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTP360N80S3Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики NTP360N80S3Z

Package
Tube
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 6.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1143 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (Макс)
96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-220-3
Корпус
TO-220-3
Base Product Number
NTP360

Техническая документация

NTP360N80S3Z.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

206 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
708 ₽
10
366 ₽
100
309 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
ONSEMI
Артикул:
NTP360N80S3Z
Описание:
MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена NTP360N80S3Z при покупке от 1 шт 708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTP360N80S3Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики NTP360N80S3Z

Package
Tube
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 6.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1143 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (Макс)
96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-220-3
Корпус
TO-220-3
Base Product Number
NTP360

Техническая документация

NTP360N80S3Z.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

2SK3573-AZ N-CHANNEL POWER MOSFET

515Кешбэк 77 баллов

MCH6336-TL-E MOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6

46Кешбэк 6 баллов

RJK0395DPA-WS#J53 N-CHANNEL POWER MOSFET

150Кешбэк 22 балла

R6024KNX MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

588Кешбэк 88 баллов

PJQ4463AP_R2_00001 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

140Кешбэк 21 балл

RSR020P05HZGTL MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3

166Кешбэк 24 балла

IXTA140N12T2 MOSFET N-CH 120V 140A TO263

1 109Кешбэк 166 баллов

RQ5L030SNTL MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3

174Кешбэк 26 баллов

NTHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

5 238Кешбэк 785 баллов

IGOT60R070D1AUMA3 GANFET N-CH

2 315Кешбэк 347 баллов

UPA507TE-T1-AT P-CHANNEL MOSFET

67Кешбэк 10 баллов

SIHP25N60EFL-GE3 MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

401Кешбэк 60 баллов

UJ4C075023K4S 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

3 400Кешбэк 510 баллов

DMP6350S-7 MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23

81Кешбэк 12 баллов

RJK0353DSP-WS#J0 N-CHANNEL POWER MOSFET

146Кешбэк 21 балл

R6004KNJTL MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263

182Кешбэк 27 баллов

SQJ418EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8

318Кешбэк 47 баллов

FQB27N25TM-F085 FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25

687Кешбэк 103 балла

NVTFS6H880NTAG MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

137Кешбэк 20 баллов

PJQ4468AP_R2_00001 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

233Кешбэк 34 балла

IPT65R190CFD7XTMA1 MOSFET N-CH 650V 8HSOF

643Кешбэк 96 баллов

NVMYS006N08LHTWG T8 80V LL LFPAK

368Кешбэк 55 баллов

2N7002TQ-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523

48Кешбэк 7 баллов

TK1K0A60F,S4X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

327Кешбэк 49 баллов

IPW60R045P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41

1 378Кешбэк 206 баллов

NTD5N50-001 NFET DPAK 500V 1.8R

163Кешбэк 24 балла

BSS138K-13 MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23

26Кешбэк 3 балла

IPP60R190C6XKSA1 Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3

612Кешбэк 91 балл

FCPF380N60-F152 600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220

142Кешбэк 21 балл

BSC007N04LS6ATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6

645Кешбэк 96 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - IGBT - одиночные

Программируемые однопереходные транзисторы

Симисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Тиристоры - SCR

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Принадлежности

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Варикапы и Варакторы

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Диоды - ВЧ

Диодные мосты

Полевые транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диодные мосты - Модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды силовые

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - JFET

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Полевые транзисторы - Сборки

Высокочастотные диоды

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

IGBT транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Биполярные транзисторы

Диоды выпрямительные - Модули

Высокочастотные полевые транзисторы

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы - IGBT - модули

Транзисторы - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Симисторы - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки

Триодные тиристоры - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Модули драйверов питания

Диоды выпрямительные - Сборки

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали