Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z

NTP360N80S3Z

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NTP360N80S3Z
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена NTP360N80S3Z при покупке от 1 шт 708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTP360N80S3Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTP360N80S3Z

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 300µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1143 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    NTP360

Техническая документация

 NTP360N80S3Z.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 206 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    708 ₽
  • 10
    366 ₽
  • 100
    309 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NTP360N80S3Z
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена NTP360N80S3Z при покупке от 1 шт 708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTP360N80S3Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTP360N80S3Z

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 300µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1143 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    NTP360

Техническая документация

 NTP360N80S3Z.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3573-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    515Кешбэк 77 баллов
    MCH6336-TL-EMOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6
    46Кешбэк 6 баллов
    RJK0395DPA-WS#J53N-CHANNEL POWER MOSFET
    150Кешбэк 22 балла
    R6024KNXMOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
    588Кешбэк 88 баллов
    PJQ4463AP_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    140Кешбэк 21 балл
    RSR020P05HZGTLMOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
    166Кешбэк 24 балла
    IXTA140N12T2MOSFET N-CH 120V 140A TO263
    1 109Кешбэк 166 баллов
    RQ5L030SNTLMOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
    174Кешбэк 26 баллов
    NTHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
    5 238Кешбэк 785 баллов
    IGOT60R070D1AUMA3GANFET N-CH
    2 315Кешбэк 347 баллов
    UPA507TE-T1-ATP-CHANNEL MOSFET
    67Кешбэк 10 баллов
    SIHP25N60EFL-GE3MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
    401Кешбэк 60 баллов
    UJ4C075023K4S750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
    3 400Кешбэк 510 баллов
    DMP6350S-7MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
    81Кешбэк 12 баллов
    RJK0353DSP-WS#J0N-CHANNEL POWER MOSFET
    146Кешбэк 21 балл
    R6004KNJTLMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
    182Кешбэк 27 баллов
    SQJ418EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
    318Кешбэк 47 баллов
    FQB27N25TM-F085FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
    687Кешбэк 103 балла
    NVTFS6H880NTAGMOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
    137Кешбэк 20 баллов
    PJQ4468AP_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    233Кешбэк 34 балла
    IPT65R190CFD7XTMA1MOSFET N-CH 650V 8HSOF
    643Кешбэк 96 баллов
    NVMYS006N08LHTWGT8 80V LL LFPAK
    368Кешбэк 55 баллов
    2N7002TQ-7-FMOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
    48Кешбэк 7 баллов
    TK1K0A60F,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    327Кешбэк 49 баллов
    IPW60R045P7XKSA1MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
    1 378Кешбэк 206 баллов
    NTD5N50-001NFET DPAK 500V 1.8R
    163Кешбэк 24 балла
    BSS138K-13MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
    26Кешбэк 3 балла
    IPP60R190C6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    612Кешбэк 91 балл
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    142Кешбэк 21 балл
    BSC007N04LS6ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
    645Кешбэк 96 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП