NTSB40200CTT4G

NTSB40200CTT4G onsemi — это полупроводниковый элемент, конкретно это навесной силовой MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Он предназначен для применения в различных электронных устройствах.

• Основные параметры:
• Рейтингный ток: 20 A
• Рейтингное напряжение: 45 V
• Тип: N-канальный
• Технология производства: SiC (Silicon Carbide)

• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе с высокими температурами
• Малый размер и легкий вес
• Устойчивость к износу и долгий срок службы
• Низкое значение R_DS(on)

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-девices
• Необходимо соблюдать особые требования к проектированию и термостойкости

Общее назначение: Используется в различных приложениях, требующих работы с высоким напряжением и током, таких как:

• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы зарядки аккумуляторов
• Инверторы для солнечных панелей
• Мощные преобразователи энергии