Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NTTFS012N10MDTAG
  • В избранное
  • В сравнение
NTTFS012N10MDTAG

NTTFS012N10MDTAG

NTTFS012N10MDTAG
;
NTTFS012N10MDTAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTTFS012N10MDTAG
  • Описание:
    PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8Все характеристики

Минимальная цена NTTFS012N10MDTAG при покупке от 1 шт 389.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTTFS012N10MDTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTTFS012N10MDTAG

Основные параметры:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET (N-FET)
  • Производитель: onsemi
  • Маркировка: NTTFS012N10MDTAG (полная)
  • Напряжение сток-исток (Vds): 100 В (LOW Q, что указывает на оптимизацию для низких потерь при переключении)
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 12 мОм (очень низкое)
  • Корпус: U8 (вероятно, UDFN8 или аналогичный компактный корпус для поверхностного монтажа)

Плюсы:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери проводимости, что приводит к высокой эффективности и меньшему нагреву.
  • Низкий заряд затвора (LOW Q): Указывает на оптимизацию для быстрого переключения, что снижает потери при переключении и позволяет работать на высоких частотах.
  • Высокое напряжение пробоя (100 В): Подходит для приложений, где требуется работа с относительно высокими напряжениями.
  • Компактный корпус (U8): Позволяет использовать транзистор в устройствах с ограниченным пространством.
  • N-канальный: Более прост в управлении по сравнению с P-канальными MOSFET.

Минусы:

  • Относительно высокая стоимость: Высокопроизводительные MOSFETы с низким Rds(on) и низким зарядом затвора могут быть дороже стандартных решений.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, требует осторожного обращения.
  • Требуется соответствующий драйвер затвора: Для полноценной реализации преимуществ низкого заряда затвора и быстрого переключения необходим подходящий драйвер.

Общее назначение:

Высокоэффективный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в приложениях, требующих высокой производительности, низких потерь энергии и быстрого переключения. Идеально подходит для управления питанием и преобразования энергии.

В каких устройствах применяется:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • DC-DC преобразователи (повышающие, понижающие, понижающе-повышающие)
  • Синхронные выпрямители
  • Драйверы двигателей (особенно BLDC)
  • Управление светодиодами (LED драйверы)
  • Системы управления батареями (BMS)
  • Защита от перегрузки по току
  • Автомобильная электроника (где требуется высокая эффективность и надежность)
  • Промышленное оборудование
  • Телекоммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NTTFS012N10MDTAG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.2A (Ta), 45A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 78µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    965 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.7W (Ta), 62W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN

Техническая документация

 NTTFS012N10MDTAG.pdf
pdf. 0 kb
  • 6702 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    389 ₽
  • 10
    265 ₽
  • 100
    179 ₽
  • 1000
    130 ₽
  • 3000
    112 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTTFS012N10MDTAG
  • Описание:
    PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8Все характеристики

Минимальная цена NTTFS012N10MDTAG при покупке от 1 шт 389.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTTFS012N10MDTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTTFS012N10MDTAG

Основные параметры:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET (N-FET)
  • Производитель: onsemi
  • Маркировка: NTTFS012N10MDTAG (полная)
  • Напряжение сток-исток (Vds): 100 В (LOW Q, что указывает на оптимизацию для низких потерь при переключении)
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 12 мОм (очень низкое)
  • Корпус: U8 (вероятно, UDFN8 или аналогичный компактный корпус для поверхностного монтажа)

Плюсы:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери проводимости, что приводит к высокой эффективности и меньшему нагреву.
  • Низкий заряд затвора (LOW Q): Указывает на оптимизацию для быстрого переключения, что снижает потери при переключении и позволяет работать на высоких частотах.
  • Высокое напряжение пробоя (100 В): Подходит для приложений, где требуется работа с относительно высокими напряжениями.
  • Компактный корпус (U8): Позволяет использовать транзистор в устройствах с ограниченным пространством.
  • N-канальный: Более прост в управлении по сравнению с P-канальными MOSFET.

Минусы:

  • Относительно высокая стоимость: Высокопроизводительные MOSFETы с низким Rds(on) и низким зарядом затвора могут быть дороже стандартных решений.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, требует осторожного обращения.
  • Требуется соответствующий драйвер затвора: Для полноценной реализации преимуществ низкого заряда затвора и быстрого переключения необходим подходящий драйвер.

Общее назначение:

Высокоэффективный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в приложениях, требующих высокой производительности, низких потерь энергии и быстрого переключения. Идеально подходит для управления питанием и преобразования энергии.

В каких устройствах применяется:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • DC-DC преобразователи (повышающие, понижающие, понижающе-повышающие)
  • Синхронные выпрямители
  • Драйверы двигателей (особенно BLDC)
  • Управление светодиодами (LED драйверы)
  • Системы управления батареями (BMS)
  • Защита от перегрузки по току
  • Автомобильная электроника (где требуется высокая эффективность и надежность)
  • Промышленное оборудование
  • Телекоммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NTTFS012N10MDTAG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.2A (Ta), 45A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 78µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    965 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.7W (Ta), 62W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN

Техническая документация

 NTTFS012N10MDTAG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3113-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3635-Z-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3433-ZJ-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3221-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E2-AT9A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK4146-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK2084L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    HAT1038RJ-ELP-CHANNEL POWER MOSFET
    332Кешбэк 49 баллов
    UPA2792GR(0)-E1-AZSWITCHING N AND P TRANSISTORS
    333Кешбэк 49 баллов
    2SK3712-Z-E1-AZMOSFET N-CH 250V 9A TO252
    335Кешбэк 50 баллов
    2SJ350P-CHANNEL POWER MOSFET
    339Кешбэк 50 баллов
    RJK0380DPA-00#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-02#J0POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-WS#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0230DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    UPA2802T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0393DPA-0G#J7APOWER TRANSISTOR, MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2803T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717GR-E1-ATP-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0226DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 15A 8PSOP
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03M0DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    2SK1093-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    NP48N055MHE-S18-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП