NTTFS1D2N02P1E

NTTFS1D2N02P1E — это MOSFET (MOS-FET) типа N-канальный с низким напряжением ввода. Производитель — ON Semiconductor.

• Основные параметры:
• Напряжение ввода (V_GS(th)) — 2,5 В
• Номинальный ток проводимости (I_D(on)) — 23 А
• Предел напряжения (V_DS(max)) — 25 В
• Резистивность (R_DS(on)) — 80 мО при I_D(on) = 23 А
• Количество пакетов — 8 PQFN
• Плюсы:
• Низкое напряжение ввода обеспечивает хорошую работу при низких напряжениях питания.
• Высокий ток проводимости (23 А) позволяет передавать значительные токи.
• Малая резистивность R_DS(on) снижает потери энергии.
• Надежное исполнение в пакете 8 PQFN обеспечивает хорошую термическую эффективность.
• Минусы:
• Требует дополнительного проектирования для обеспечения надлежащей работы при высоких напряжениях.
• В некоторых приложениях может потребовать дополнительных компонентов для защиты.
• Общее назначение:
• Используется в различных приложениях, требующих управления большим током при низком напряжении ввода.
• Подходит для применения в источниках питания, преобразователях энергии, системах управления током.
• Применяется в:
• Мобильных устройствах (телефоны, ноутбуки).
• Автомобильных системах.
• Промышленных системах управления.
• Преобразователях энергии.