Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTTS2P03R2

NTTS2P03R2

NTTS2P03R2
;
NTTS2P03R2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTTS2P03R2 при покупке от 1285 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTTS2P03R2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTTS2P03R2

NTTS2P03R2 onsemi MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8

  • Основные параметры:
    • Напряжение стакана (VDS) — 30 В
    • Размер тока (ID) — 2.1 А
    • Тип — P-канальный MOSFET
    • Форм-фактор — MICRO8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря технологии onsemi
    • Малый размер и компактная форма фактора (MICRO8)
    • Низкое напряжение срабатывания (VT) обеспечивает эффективное управление
    • Высокий коэффициент передачи (Kon) для уменьшения потерь при включении
  • Минусы:
    • Только один диодный мост может быть подключен к каждой паре входов, что ограничивает использование в некоторых схемах
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений из-за свойств MOSFET
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
    • Применение в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Электронные устройства с регулируемым напряжением
    • Системы управления приводами
    • Источники питания для периферийного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики NTTS2P03R2

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85mOhm @ 2.48A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    500 pF @ 24 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    600mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-MSOP
  • Корпус
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • Base Product Number
    NTTS2P

Техническая документация

NTTS2P03R2.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 1285 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTTS2P03R2 при покупке от 1285 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTTS2P03R2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTTS2P03R2

NTTS2P03R2 onsemi MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8

  • Основные параметры:
    • Напряжение стакана (VDS) — 30 В
    • Размер тока (ID) — 2.1 А
    • Тип — P-канальный MOSFET
    • Форм-фактор — MICRO8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря технологии onsemi
    • Малый размер и компактная форма фактора (MICRO8)
    • Низкое напряжение срабатывания (VT) обеспечивает эффективное управление
    • Высокий коэффициент передачи (Kon) для уменьшения потерь при включении
  • Минусы:
    • Только один диодный мост может быть подключен к каждой паре входов, что ограничивает использование в некоторых схемах
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений из-за свойств MOSFET
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
    • Применение в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Электронные устройства с регулируемым напряжением
    • Системы управления приводами
    • Источники питания для периферийного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики NTTS2P03R2

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85mOhm @ 2.48A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    500 pF @ 24 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    600mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-MSOP
  • Корпус
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • Base Product Number
    NTTS2P

Техническая документация

NTTS2P03R2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 1285 шт