Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTZD3152PT1H

NTZD3152PT1H

NTZD3152PT1H
;
NTZD3152PT1H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTZD3152PT1H при покупке от 2732 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTZD3152PT1H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTZD3152PT1H

NTZD3152PT1H onsemi MOSFET 2P-CH 20V 430mA SOT563-6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 20В
    • Номинальный ток: 430мА
    • Количество каналов: 2
    • Тип пакета: SOT563-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая скорость переключения
    • Экономичность в использовании энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при больших нагрузках
    • Стоимость может быть выше, чем у традиционных силовых транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электрониках для управления током
    • Применяется в преобразователях напряжения
    • Используется в системах регулирования напряжения
    • Участвует в работе источников питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания
    • Мелкая домашняя бытовая техника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства с высокими требованиями к управляемости тока
Выбрано: Показать

Характеристики NTZD3152PT1H

  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    430mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900mOhm @ 430mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    175pF @ 16V
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NTZD3152

Техническая документация

NTZD3152PT1H.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 2732 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NTZD3152PT1H при покупке от 2732 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTZD3152PT1H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NTZD3152PT1H

NTZD3152PT1H onsemi MOSFET 2P-CH 20V 430mA SOT563-6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 20В
    • Номинальный ток: 430мА
    • Количество каналов: 2
    • Тип пакета: SOT563-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая скорость переключения
    • Экономичность в использовании энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при больших нагрузках
    • Стоимость может быть выше, чем у традиционных силовых транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электрониках для управления током
    • Применяется в преобразователях напряжения
    • Используется в системах регулирования напряжения
    • Участвует в работе источников питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания
    • Мелкая домашняя бытовая техника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства с высокими требованиями к управляемости тока
Выбрано: Показать

Характеристики NTZD3152PT1H

  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    430mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900mOhm @ 430mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    175pF @ 16V
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NTZD3152

Техническая документация

NTZD3152PT1H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 2732 шт