Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVBG160N120SC1
  • В избранное
  • В сравнение
NVBG160N120SC1

NVBG160N120SC1

NVBG160N120SC1
;
NVBG160N120SC1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVBG160N120SC1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена NVBG160N120SC1 при покупке от 1 шт 2177.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVBG160N120SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVBG160N120SC1

Маркировка NVBG160N120SC1:

  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип устройства: СИКФЕТ N-канальный
  • Номинальное напряжение: 1200 В
  • Номинальный ток: 19.5 А
  • Пакетика: D2PAK

Основные параметры:

  • Ток вперёд: 19.5 А
  • Напряжение вперёд: 1200 В
  • Размеры пакетика D2PAK: 10.3 мм × 8.7 мм
  • Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая мощность, что позволяет использовать его в больших системах.
  • Устойчивость к перегреву, что обеспечивает надёжную работу даже при высоких температурах.
  • Низкое сопротивление, что уменьшает потери энергии.
  • Компактный размер, что позволяет сэкономить место на печатной плате.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами полупроводниковых приборов.
  • Ограниченная частота работы, что ограничивает его использование в некоторых высокочастотных системах.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания для обработки высокого напряжения.
  • Применение в электромобилях для управления током.
  • Использование в инверторах и преобразователях.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов.
  • Системы управления энергией в промышленных приборах.
  • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств.
  • Преобразователи напряжения для солнечных панелей.
Выбрано: Показать

Характеристики NVBG160N120SC1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    224mOhm @ 12A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.8 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    678 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    NVBG160

Техническая документация

 NVBG160N120SC1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1021 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 177 ₽
  • 10
    1 451 ₽
  • 100
    1 351 ₽
  • 500
    1 260 ₽
  • 800
    1 260 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVBG160N120SC1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена NVBG160N120SC1 при покупке от 1 шт 2177.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVBG160N120SC1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVBG160N120SC1

Маркировка NVBG160N120SC1:

  • Производитель: ON Semiconductor
  • Тип устройства: СИКФЕТ N-канальный
  • Номинальное напряжение: 1200 В
  • Номинальный ток: 19.5 А
  • Пакетика: D2PAK

Основные параметры:

  • Ток вперёд: 19.5 А
  • Напряжение вперёд: 1200 В
  • Размеры пакетика D2PAK: 10.3 мм × 8.7 мм
  • Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая мощность, что позволяет использовать его в больших системах.
  • Устойчивость к перегреву, что обеспечивает надёжную работу даже при высоких температурах.
  • Низкое сопротивление, что уменьшает потери энергии.
  • Компактный размер, что позволяет сэкономить место на печатной плате.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами полупроводниковых приборов.
  • Ограниченная частота работы, что ограничивает его использование в некоторых высокочастотных системах.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания для обработки высокого напряжения.
  • Применение в электромобилях для управления током.
  • Использование в инверторах и преобразователях.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов.
  • Системы управления энергией в промышленных приборах.
  • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств.
  • Преобразователи напряжения для солнечных панелей.
Выбрано: Показать

Характеристики NVBG160N120SC1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    224mOhm @ 12A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.3V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.8 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    678 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    NVBG160

Техническая документация

 NVBG160N120SC1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    YJL3401AP-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
    9.7Кешбэк 1 балл
    SIDR610DP-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
    824Кешбэк 123 балла
    AONR66922MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
    367Кешбэк 55 баллов
    BS170-D75ZMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
    49Кешбэк 7 баллов
    BSZ0589NSATMA1MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
    196Кешбэк 29 баллов
    FDBL86566-F085MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
    467Кешбэк 70 баллов
    IRFL210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    DMP2110UW-7MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    SIDR392DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
    582Кешбэк 87 баллов
    SISH112DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
    376Кешбэк 56 баллов
    2SK1274-T-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    141Кешбэк 21 балл
    SQ1464EEH-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
    91Кешбэк 13 баллов
    MTSF3N03HDR2SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    59Кешбэк 8 баллов
    IAUA250N04S6N005AUMA1OPTIMOS POWER MOSFET
    580Кешбэк 87 баллов
    NTD360N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    493Кешбэк 73 балла
    SIHJ6N65E-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8
    545Кешбэк 81 балл
    SQS486CENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    185Кешбэк 27 баллов
    IPD50P04P413ATMA2MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
    300Кешбэк 45 баллов
    RQ6E045TNTRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
    130Кешбэк 19 баллов
    ISC036N04NM5ATMA140V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
    252Кешбэк 37 баллов
    IPB60R280P7ATMA1MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
    434Кешбэк 65 баллов
    SSM6K810R,LFSMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
    133Кешбэк 19 баллов
    SUD19P06-60-BE3MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
    319Кешбэк 47 баллов
    FDMS3D5N08LCMOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
    661Кешбэк 99 баллов
    SISS61DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    IRFPC423.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
    296Кешбэк 44 балла
    SSM3J371R,LXHFSMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
    87Кешбэк 13 баллов
    SQJ488EP-T1_BE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
    427Кешбэк 64 балла
    SQJ488EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
    426Кешбэк 63 балла
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП