Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NVD5890NT4G
NVD5890NT4G

NVD5890NT4G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVD5890NT4G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NVD5890NT4G при покупке от 1000 шт 136.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVD5890NT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVD5890NT4G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    24A (Ta), 123A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4760 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4W (Ta), 107W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    NVD589
Техническая документация
 NVD5890NT4G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1000
    136 ₽

Минимально и кратно 1000 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVD5890NT4G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена NVD5890NT4G при покупке от 1000 шт 136.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVD5890NT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVD5890NT4G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    24A (Ta), 123A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4760 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4W (Ta), 107W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    NVD589
Техническая документация
 NVD5890NT4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFR80N50Q3MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
    SI7633DP-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
    BSZ040N04LSGATMA1MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
    FQD3N40TMMOSFET N-CH 400V 2A DPAK
    STB14NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
    IXFR44N80PMOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
    STD1NK60T4MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
    BSC052N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
    CSD17304Q3MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
    BUK9Y09-40B,115MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
    STD8NF25MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
    BSH103,215Транзистор: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
    IRF1407PBFMOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
    IXTP48N20TMOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
    STF25N60M2-EPMOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
    TK5A50D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
    TK7P60W,RVQMOSFET N CH 600V 7A DPAK
    FQP13N06MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
    NP90N04VDG-E1-AYMOSFET N-CH 40V 90A TO252
    STD90N03LMOSFET N-CH 30V 80A DPAK
    NTMFS4C10NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
    DMP3130L-7MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
    PMZB290UNE2YLMOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
    5HP01M-TL-EMOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP
    BSC018NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
    IRFHM4234TRPBFHEXFET POWER MOSFET
    AUIRFB8405MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
    IPW65R420CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
    IRF740APBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
    SI4401DDY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП