Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

NVMFS5C410NLT1G

В избранное
В сравнение

NVMFS5C410NLT1G

NVMFS5C410NLT1G

NVMFS5C410NLT1G

;

NVMFS5C410NLT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NVMFS5C410NLT1G
Описание:
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NVMFS5C410NLT1G при покупке от 7 шт 762.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFS5C410NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики NVMFS5C410NLT1G

Package
Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Ta), 315A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8862 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Корпус
8-PowerTDFN, 5 Leads
Base Product Number
NVMFS5

Техническая документация

NVMFS5C410NLT1G.pdf

pdf. 0 kb

6000 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 7 шт

Количество
Цена
7
762 ₽
19
693 ₽
68
641 ₽
292
572 ₽
653
520 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NVMFS5C410NLT1G
Описание:
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NVMFS5C410NLT1G при покупке от 7 шт 762.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFS5C410NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики NVMFS5C410NLT1G

Package
Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Ta), 315A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8862 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Корпус
8-PowerTDFN, 5 Leads
Base Product Number
NVMFS5

Техническая документация

NVMFS5C410NLT1G.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

BSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

34Кешбэк 5 баллов

FDV304P MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

20Кешбэк 3 балла

2SK4066-1E MOSFET N-CH 60V 100A TO262-3

417Кешбэк 62 балла

FDV303N MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

39Кешбэк 5 баллов

BSS123 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

40Кешбэк 6 баллов

NDS0605 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23

48Кешбэк 7 баллов

BSS138L Транзистор: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

32.6Кешбэк 4 балла

SCH1332-TL-H MOSFET P-CH 20V 2.5A 6SCH

71Кешбэк 10 баллов

2N7002LT1G Транзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

28.4Кешбэк 4 балла

NTE4153NT1G MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3

76Кешбэк 11 баллов

40Кешбэк 6 баллов

BSS123LT1G Транзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

49Кешбэк 7 баллов

NVMFS5C410NLT1G MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN

762Кешбэк 114 баллов

RFD14N05SM9A MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA

97Кешбэк 14 баллов

NTE4151PT1G Транзистор: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3

27Кешбэк 4 балла

NTR4101PT1G Транзистор: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3

51Кешбэк 7 баллов

BS270 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

22.3Кешбэк 3 балла

2N7002KT1G Транзистор: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

20Кешбэк 3 балла

MMBF170LT1G MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

46Кешбэк 6 баллов

NDT452AP MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4

264Кешбэк 39 баллов

FQT7N10LTF MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4

142Кешбэк 21 балл

FQB22P10TM MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

488Кешбэк 73 балла

2V7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

45Кешбэк 6 баллов

FQT4N20LTF MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

159Кешбэк 23 балла

39Кешбэк 5 баллов

FDN5630 MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

104Кешбэк 15 баллов

BVSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

73Кешбэк 10 баллов

NDT451AN MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4

130Кешбэк 19 баллов

FDMS86163P MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

570Кешбэк 85 баллов

FDC5614P MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6

160Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Симисторы

Высокочастотные полевые транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - SCR - модули

Симисторы - Модули

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Полевые транзисторы - Сборки

Одиночные IGBT транзисторы

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Диоды выпрямительные - Модули

Диодные мосты

Полевые транзисторы - Одиночные

Одиночные триодные тиристоры

Сборки биполярных транзисторов

Одиночные биполярные транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Биполярные транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Варикапы и Варакторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диоды - мостовые выпрямители

Модули триодных тиристоров

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Транзисторы специального назначения

Диоды - выпрямители - массивы

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Модули драйверов питания

Транзисторные модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Высокочастотные биполярные транзисторы

IGBT транзисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - JFET

Принадлежности для дискретных полупроводников

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Модули драйверов питания

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Тиристоры - SCR

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Диоды - ВЧ

Тиристоры - TRIACs

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диодные мосты - Модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Полевые транзисторы - Модули

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Высокочастотные диоды

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды силовые

Минимально и кратно 7 шт

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали