NVMFS5C646NLWFAFT1G

Маркировка NVMFS5C646NLWFAFT1G, производитель ON Semiconductor, описывает MOSFET N-канального типа с следующими характеристиками:

• Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (V_CEO): 60В
• Номинальная токовая способность (I_D(on)): 20А в режиме спуска, 93А в режиме пуска
• Количество пакетов (Package): 5DFN (5-миллиметровый прямоугольный пакет)

Основные параметры:

• Тип: MOSFET N-канальный
• Напряжение блокировки: 60В
• Ток при номинальном напряжении: 20А (спуск), 93А (пуск)
• Пакет: 5DFN

Плюсы:

• Высокая токовая способность: обладает высокой способностью к пропусканию тока, что важно для различных приложений.
• Низкий R_DS(on): обеспечивает низкое сопротивление при прохождении тока, что уменьшает энергопотери.
• Малый размер: 5DFN пакет позволяет компактное размещение на печатной плате.

Минусы:

• Высокие требования к охлаждению: при высоких нагрузках могут возникать значительные тепловые потери, требуя эффективного охлаждения.
• Ограниченный срок службы при избыточном нагреве: частое превышение допустимых температур может сократить срок службы.

Общее назначение:

• Регулирование напряжения в электронных устройствах.
• Управление током в различных приложениях, включая источники питания, преобразователи и системы управления.
• Изоляция сигналов и управление нагрузками в цифровых и аналоговых системах.

Применение:

• Источники питания для различных устройств.
• Преобразователи напряжения и мощные регуляторы.
• Системы управления двигателем.
• Цифровые и аналоговые электронные системы, требующие точного управления током.