Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVMFS6H818NT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G
;
NVMFS6H818NT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NVMFS6H818NT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NVMFS6H818NT1G при покупке от 1 шт 603.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFS6H818NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFS6H818NT1G

Маркировка NVMFS6H818NT1G, производитель ONSEMI

  • MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80 В
  • Номинальный ток при VDS(on): 20 А
  • Размеры пакета: 5DFN (0.8 x 1.0 x 0.4 мм)
  • Тип: N-канальный полевик
  • Пределы рабочего тока: 123 А (в зависимости от условий охлаждения)

Плюсы:

  • Высокая проводимость: низкий коэффициент сопротивления при номинальном токе
  • Высокие частоты работы: подходит для высокочастотных приложений
  • Малые размеры: компактный пакет 5DFN
  • Высокая надежность: надежная работа даже при высоких нагрузках

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах: увеличение тепловых потерь при работе с токами выше номинального
  • Требуются дополнительные меры охлаждения: особенно при работе с максимальными токами

Общее назначение:

  • Использование в электронных системах с высокими требованиями к проводимости и скорости работы
  • Применяются в преобразователях питания
  • Используются в системах управления двигателей
  • Подходят для цифровых устройств с высокими требованиями к точности и скорости

В каких устройствах применяется:

  • Питание мобильных устройств и ноутбуков
  • Автомобильные системы питания и управления
  • Преобразователи питания для серверов и сетевого оборудования
  • Промышленное оборудование с высокими требованиями к производительности
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFS6H818NT1G

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta), 123A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 190µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3100 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads

Техническая документация

 NVMFS6H818NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1316 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    603 ₽
  • 10
    406 ₽
  • 100
    297 ₽
  • 500
    247 ₽
  • 1000
    238 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NVMFS6H818NT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NVMFS6H818NT1G при покупке от 1 шт 603.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFS6H818NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVMFS6H818NT1G

Маркировка NVMFS6H818NT1G, производитель ONSEMI

  • MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80 В
  • Номинальный ток при VDS(on): 20 А
  • Размеры пакета: 5DFN (0.8 x 1.0 x 0.4 мм)
  • Тип: N-канальный полевик
  • Пределы рабочего тока: 123 А (в зависимости от условий охлаждения)

Плюсы:

  • Высокая проводимость: низкий коэффициент сопротивления при номинальном токе
  • Высокие частоты работы: подходит для высокочастотных приложений
  • Малые размеры: компактный пакет 5DFN
  • Высокая надежность: надежная работа даже при высоких нагрузках

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах: увеличение тепловых потерь при работе с токами выше номинального
  • Требуются дополнительные меры охлаждения: особенно при работе с максимальными токами

Общее назначение:

  • Использование в электронных системах с высокими требованиями к проводимости и скорости работы
  • Применяются в преобразователях питания
  • Используются в системах управления двигателей
  • Подходят для цифровых устройств с высокими требованиями к точности и скорости

В каких устройствах применяется:

  • Питание мобильных устройств и ноутбуков
  • Автомобильные системы питания и управления
  • Преобразователи питания для серверов и сетевого оборудования
  • Промышленное оборудование с высокими требованиями к производительности
Выбрано: Показать

Характеристики NVMFS6H818NT1G

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta), 123A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 190µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3100 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads

Техническая документация

 NVMFS6H818NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK16J60W,S1VEX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    1 214Кешбэк 182 балла
    TK155A65Z,S4XMOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
    850Кешбэк 127 баллов
    SSM6K405TU,LFMOSFET N-CH 20V 2A UF6
    85Кешбэк 12 баллов
    TK065N65Z,S1FMOSFET N-CH 650V 38A TO247
    1 668Кешбэк 250 баллов
    TW140N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
    2 606Кешбэк 390 баллов
    TK49N65W,S1FPB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
    2 655Кешбэк 398 баллов
    TK31Z60X,S1FX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    2 291Кешбэк 343 балла
    TK49N65W5,S1FX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    2 547Кешбэк 382 балла
    TK750A60F,S4XMOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
    504Кешбэк 75 баллов
    TK17A65W,S5XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    688Кешбэк 103 балла
    TK2R4A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
    620Кешбэк 93 балла
    BSS138-13-FMOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K
    40.5Кешбэк 6 баллов
    BSS138K-13MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
    25.7Кешбэк 3 балла
    DMN62D1LFB-7BMOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
    64Кешбэк 9 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    DMTH6016LFDFWQ-7RMOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
    180Кешбэк 27 баллов
    DMT6012LSS-13MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
    97Кешбэк 14 баллов
    DMN31D5L-13MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
    46Кешбэк 6 баллов
    DMN2053UW-7MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    DMN5L06KQ-7MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
    70Кешбэк 10 баллов
    DMTH6004SK3-13MOSFET N-CH 60V 100A TO252
    234Кешбэк 35 баллов
    DMN67D7L-7MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN3028LQ-7MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
    107Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    107Кешбэк 16 баллов
    DMN61D9UWQ-13MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
    59Кешбэк 8 баллов
    DMP6350SQ-7MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
    120Кешбэк 18 баллов
    DMN65D9L-7MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    DMTH6016LPSQ-13MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
    160Кешбэк 24 балла
    DMN62D1LFDQ-7MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN3731U-7MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
    40.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП